| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 반도체 기판;상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층;상기 에미터층 일면 상에 배치된 냉각층;상기 에미터층과 상기 냉각층 사이에 배치된 반사 방지막 및타단이 상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하고, 일단이 상기 반사 방지막과 냉각층을 관통하여 외부로 노출되는 전면 전극을 포함하고,상기 냉각층은 스크린 인쇄에 의해 형성되고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하고,상기 냉각층은 PDMS를 포함하고,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지. |
| 2 | 삭제 |
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| 4 | 제 1항에 있어서,상기 기판의 타면에 배치된 후면 전극; 상기 후면 전극의 타면에 배치된 후면 냉각층; 및일단이 상기 후면 냉각층을 관통하여 상기 후면 전극에 접속하고, 타단이 상기 후면 냉각층을 관통하여 외부로 노출되는 외부 도선을 더 포함하고,상기 냉각층은 PDMS를 포함하는 태양전지. |
| 5 | 제 1항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지. |
| 6 | 반도체 기판;상기 기판의 일면 상에 배치된 에미터층; 및상기 반도체 기판의 타면 상에 배치된 후면 냉각층을 포함하고,상기 후면 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하고,상기 후면 냉각층은 스크린 인쇄에 의해 형성되고,상기 후면 냉각층은 PDMS를 포함하고,상기 후면 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지. |
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| 9 | 제 6항에 있어서,상기 에미터층의 일면 상에 배치된 반사 방지막 및상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면 전극을 더 포함하는 태양전지. |
| 10 | 제 6항에 있어서,상기 후면 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지. |
| 11 | 반도체 기판의 일면 상에 에미터층을 배치하는 단계; 상기 에미터층의 일면 상에 직접 반사 방지막을 배치하는 단계;상기 에미터층 일면 상에 스크린 인쇄를 통해 냉각층을 배치하는 단계; 및타단이 상기 냉각층과 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하고, 일단이 상기 반사 방지막과 냉각층을 관통하여 외부로 노출되도록 전면 전극을 배치하는 단계;를 포함하고,상기 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하고,상기 냉각층은 PDMS를 포함하고,상기 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지의 제조 방법. |
| 12 | 삭제 |
| 13 | 삭제 |
| 14 | 반도체 기판의 일면 상에 에미터층을 배치하는 단계; 상기 기판의 타면에 배치된 후면 전극을 배치하는 단계;상기 후면 전극의 타면 상에 스크린 인쇄를 통해 후면 냉각층을 배치하는 단계; 및일단이 상기 후면 냉각층을 관통하여 상기 후면 전극에 접속하고, 타단이 상기 후면 냉각층을 관통하여 외부로 노출되도록 외부 도선을 배치하는 단계;를 포함하고,상기 후면 냉각층은 조사되는 태양광에서 원적외선을 흡수하고, 흡수된 원적외선 파장을 방출하고,상기 후면 냉각층은 PDMS를 포함하고,상기 후면 냉각층의 두께는 5 um 내지 150 um인 태양전지의 제조 방법. |
| 15 | 삭제 |
| 16 | 제 11항에 있어서,상기 냉각층은 복수의 냉각 입자를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법. |
