패턴화된 포토레지스트(10)가 형성된 기판(1)의 표면에 실리콘 산화물 박막(21)을 형성함에 있어서,실리콘을 포함하는 소스가스를 공급하여 상기 기판(1) 상에 상기 소스가스를 흡착시키는 제1흡착단계(S10)와; 상기 제1흡착단계(S10) 후에 불활성가스를 공급하여 퍼지하는 제1퍼지단계(S20)와;상기 제1흡착단계(S10)에서 공급된 소스가스에서 리간드를 제거하여 반응가스와의 반응성을 높이기 위하여, 상기 제1퍼지단계(S20) 후에 플라즈마에 의해 활성화된 불활성가스를 기판(1)에 공급하는 활성화단계(S30)와;상기 활성화단계(S30) 후에 플라즈마를 오프하고, 상기 기판(1)으로 불활성가스를 공급하여 퍼지하는 제2퍼지단계(S40)와;상기 제2퍼지단계(S40) 후에 상기 소스가스와 반응시키기 위한 산소 함유가스를 공급하여 상기 기판(1) 상에 흡착된 소스가스와 반응시키는 제1반응가스공급단계(S50)와;상기 제1반응가스공급단계(S50) 후에 불활성가스를 공급하여 퍼지하는 제3퍼지단계(S60)를 포함하는 사전증착단계와,실리콘을 포함하는 소스가스를 공급하여 상기 기판(1) 상에 상기 소스가스를 흡착시키는 제2흡착단계(S100)와; 상기 제2흡착단계(S100) 후에 불활성가스를 공급하여 퍼지하는 제4퍼지단계(S200)와;상기 제4퍼지단계(S200) 후에 상기 소스가스와 반응시키기 위한 산소 함유가스를 공급하여 상기 기판(1) 상에 흡착된 소스가스와 반응시키는 제2반응가스공급단계(S500)와;상기 제2반응가스공급단계(S500) 후에 불활성가스를 공급하여 퍼지하는 제5퍼지단계(S600)를 포함하는 메인증착단계를 포함하며,상기 사전증착단계를 m회(m은 2 이상의 자연수) 이상 수행한 후에, 상기 메인증착단계를 n회(n은 2 이상의 자연수) 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 박막증착방법.