| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 13 | 제7항에 있어서,최대 전류밀도가 3 A/cm2 내지 12 A/cm2인 CNT 에미터. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 필러는 Al을 더 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 4 | 제3항에 있어서,상기 Al 및 상기 Ni의 중량비는 1:1.3 내지 1:4인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 5 | 제1항에 있어서,상기 Ni 및 상기 금속질화물의 중량비는 1:1 내지 1:5인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 필러 및 상기 CNT의 중량비는 1:0.4 내지 1:0.9인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 7 | CNT, 유기바인더, 필러 및 용매를 포함하고, 상기 필러는 Ni 및 금속질화물을 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물의 경화물을 포함하는 CNT 에미터. |
| 8 | 제7항에 있어서,상기 금속질화물은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 질화티탄(TiN), 질화붕소(BN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 9 | 제7항에 있어서,상기 필러는 Al을 더 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 10 | 제9항에 있어서,상기 Al 및 상기 Ni의 중량비는 1:1.3 내지 1:4인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 11 | 제7항에 있어서,상기 Ni 및 상기 금속질화물의 중량비는 1:1 내지 1:5인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 12 | 제7항에 있어서,상기 필러 및 상기 CNT의 중량비는 1:0.4 내지 1:0.9인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 1 | CNT, 유기바인더, 필러 및 용매를 포함하고,상기 필러는 Ni 및 금속질화물을 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 금속질화물은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 질화티탄(TiN), 질화붕소(BN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 14 | CNT, 유기바인더, 필러 및 용매를 포함하고, 상기 필러는 Ni 및 금속질화물을 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물의 경화물을 포함하는 CNT 에미터가 형성된 캐소드 전극;상기 캐소드 전극과 대향하여 위치되며, 전자와의 충돌에 의해 엑스선을 발생시키는 타겟이 구비된 애노드 전극;상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극 사이에 위치되는 게이트 전극; 및상기 캐소드 전극 및 상기 게이트 전극의 사이, 상기 게이트 전극 및 상기 애노드 전극의 사이, 또는 이들 모두에 위치하는 절연층을 포함하는 전계방출형 엑스선 소스. |
| 15 | 제14항에 있어서,상기 금속질화물은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 질화티탄(TiN), 질화붕소(BN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 16 | 제14항에 있어서,상기 필러는 Al을 더 포함하는 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 17 | 제16항에 있어서,상기 Al 및 상기 Ni의 중량비는 1:1.3 내지 1:4인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 18 | 제14항에 있어서,상기 Ni 및 상기 금속질화물의 중량비는 1:1 내지 1:5인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 19 | 제14항에 있어서,상기 필러 및 상기 CNT의 중량비는 1:0.4 내지 1:0.9인 CNT 에미터의 페이스트 조성물. |
| 20 | 제14항에 있어서,최대 전류밀도가 3 A/cm2 내지 12 A/cm2인 CNT 에미터. |
