스트리트층, 집적 회로층 및 기판층을 포함하는 웨이퍼를 복수의 반도체 다이로 분리시키기 위한 반도체 웨이퍼 다이싱 방법에 있어서,상기 스트리트층 상에 LP 코팅층을 형성하는 LP 코팅단계;LP 코팅층이 형성된 웨이퍼 표면에 얕고 좁은 홈인 그루브(Groove) 라인을 형성하기 위한 그루브 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼 스크라이브 라인을 따라 상기 그루브(Groove) 라인을 형성하는 레이저 그루빙단계;그루브 라인이 형성된 웨이퍼 표면에 깊고 좁은 홈인 트렌치 라인을 형성하기 위한 융삭 레이저 빔을 조사하되, 형성된 그루브 라인에 상기 집적 회로층과 상기 기판층 중 적어도 어느 하나를 기화시켜 상기 그루브 라인을 하방으로 연장시키기 위한 제1 융삭 레이저 빔 및 상기 제1 융삭 레이저 빔을 이용한 융삭 과정에서 발생하는 실리콘 산화물층을 제거하기 위한 제2 융삭 레이저 빔을 순차적으로 조사하여 상기 웨이퍼 상에 상기 그루브 라인이 하방으로 연장된 트렌치 라인을 형성하는 레이저 융삭단계; 및트렌치 라인이 형성된 웨이퍼 상에 상기 트렌치 라인의 최하단 영역 위치에 따라 CF4 플라즈마를 활용하여 상기 트렌치 라인의 내측 둘레부 전체 영역에 형성된 실리콘 산화물층을 식각하는 플라즈마 처리 공정인 제1 플라즈마 공정 및 SF4 플라즈마를 활용하여 상기 트렌치 라인의 내측 둘레부 하단 영역을 식각하는 플라즈마 에칭 공정과 CF4 플라즈마를 활용하여 상기 트렌치 라인의 내측 둘레부 전체 영역에 형성된 실리콘 산화물층을 식각하는 플라즈마 처리 공정을 순차적으로 진행하는 공정인 제2 플라즈마 공정 중 어느 하나의 공정을 수행하여 상기 트렌치 라인을 식각하는 플라즈마 식각단계;를 포함하고,상기 그루브 레이저 빔은, 300500 nm의 파장범위를 만족하고상기 레이저 융삭단계에서,상기 제1 융삭 레이저 빔은, 5001500 nm의 파장범위를 만족하고, 상기 트렌치 라인의 내측 둘레부에 실리콘 산화물층이 형성되도록 유도하고,상기 제2 융삭 레이저 빔은, 100~400 nm의 파장범위를 만족하고, 상기 트렌치 라인의 내측 둘레부 하단 영역에 형성된 실리콘 산화물층 이 제거되도록 유도하고,상기 레이저 융삭단계는,상기 제1 융삭 레이저 빔을 조사하여, 상기 트렌치 라인의 최하단 영역이 상기 기판층의 최하단 영역에 위치하도록 상기 웨이퍼 상에 상기 트렌치 라인을 형성하거나, 상기 트렌치 라인의 최하단 영역이 상기 집적 회로층 내에 위치하도록 상기 트렌치 라인을 형성하고,상기 플라즈마 식각단계에서,상기 트렌치 라인의 최하단 영역 위치가 상기 집적 회로층 내에 위치하면, 상기 제2 플라즈마 공정을 수행하고,상기 제2 플라즈마 공정이 수행되면, 상기 트렌치 라인은 등방성 식각 구조를 가지는,반도체 웨이퍼 다이싱 방법.