성장기판;상기 성장기판 상에 위치하는 제1 도전형 반도체층;상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하되, Al을 포함하는 제1 질화물층 및 상기 제1 질화물층 상에 위치하며 상기 제1 질화물층의 Al 조성비와 다른 Al 조성비를 갖는 제2 질화물층을 포함하는 제1 스트레스 조절층;상기 제1 스트레스 조절층 상에 위치하는 활성층; 및상기 활성층 상에 위치하는 제2 도전형 반도체층을 포함하고,상기 제1 스트레스 조절층은 상기 제1 질화물층 내에 삽입된 Al 델타층을 포함하고,상기 성장기판은 상기 제1 도전형 반도체층보다 큰 열팽창계수를 갖고,상기 Al 델타층의 Al 조성비는 상기 Al델타층이 삽입되는 제1 질화물층의 Al 조성비보다 크며,상기 Al 델타층은 AlxGa(1-x)N를 포함하고, X는 0.8이상 1이하이며,상기 활성층은 270nm~315nm에서 피크 파장을 갖는 광을 방출하고,상기 활성층에 가장 가까운 Al 델타층과 상기 활성층 사이에 상기 제2 질화물층이 배치된 자외선 발광소자.