길이가 0.7nm 이상이거나 또는 공유결합 수 6개 이상을 포함하는 하나 이상의 긴 측쇄로 치환된 방향족 디카르복실산 또는 상기 치환된 방향족 디카르복실산 및 미치환된 방향족 디카르복실산의 혼합물과 +2가 내지 +4가의 금속 이온이 배위결합된 고분자 골격(backbone)을 포함하여, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자로서, 상기 선형 금속-유기 고분자는 수열(hydrothermal) 또는 용매열(solvothermal) 방법에 의한 중합에 의하여 제조되며, 상기 치환된 방향족 디카르복실산이 가지는 상기 하나 이상의 긴 측쇄는 상기 고분자 골격 형성시 고체로만 존재하는 3차원 구조의 불용성 금속-유기 프레임웍 다면체가 만들어 지지 않도록 하는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

제 1 항에 있어서, 상기 선형 금속-유기 고분자는 자발적으로 층을 형성하는 자발층형성 고분자(self-layered polymer)인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

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제 1 항에 있어서, 상기 금속 이온은 황산염, 초산염, 질산염, 인산염, 할로겐 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 상기 금속 이온을 포함하는 금속염으로부터 제공되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

제 1 항에 있어서, 상기 +2가 금속 이온은 M+2으로서 Mg, Ca, Sr, Ba, Fe, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Zn, Cd, Si, Ge, Sn, Pb, 상기 +3가 금속 이온은 M+3으로서 Eu, W, Sc, Y, V, Ta, Cr, Mo, Mn, Ru, Ga, In, Tl, As, 상기 +4가 금속 이온은 M+4으로서 Ti, Zr, V, Sn, Pb, Ge, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

제 1 항에 있어서, 상기 방향족 디카르복실산은 테레프탈산, 이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 4,4‘-비페닐디카르복실산, p-테르페닐디카르복실산, 페난트렌디카르복실산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

제 1 항에 있어서, 상기 치환된 방향족 디카르복실산이 가지는 상기 긴 측쇄는, 탄소수 1 내지 24인 알킬기로서 그의 말단에 수소, 메틸, 히드록실, 할로겐, 술포닐(SO3), 포스포닐(PO3)아닐린, 카바졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기 갖는 알킬기, R-Ar로 표시되는 아랄킬기로서 상기 R이 말단에 수소, 메틸, 히드록실, 할로겐, 술포닐(SO3), 포스포닐(PO3)아닐린, 카바졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 갖는 탄소수 1 내지 24의 알킬기인 아랄킬기, -(CH2CH2O)n (여기서, n=1~6 정수)인 알킬옥시딜, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

제 1 항에 있어서, 겔화(gelation)를 방지하고 항력(drag) 감소 효과를 나타내는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자.

용매 하에서 길이가 0.7nm 이상이거나 또는 공유결합 수 6개 이상을 포함하는 하나 이상의 긴 측쇄로 치환된 방향족 디카르복실산 또는 상기 치환된 방향족 디카르복실산 및 미치환된 방향족 디카르복실산의 혼합물과 +2가 내지 +4가의 금속의 염을 수열(hydrothermal) 또는 용매열(solvothermal) 방법에 의하여 중합 반응시켜, 상기 방향족 디카르복실산과 상기 금속염에 포함된 상기 +2가 내지 +4가 금속 이온이 배위결합된 고분자 골격(backbone)을 형성하며, 상기 치환된 방향족 디카르복실산이 가지는 상기 하나 이상의 긴 측쇄는 상기 고분자 골격 형성시 고체로만 존재하는 3차원 구조의 불용성 금속-유기 프레임웍 다면체가 만들어 지지 않도록 하여, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자를 수득하는 것을 포함하는, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

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제 10 항에 있어서, 상기 금속염은 황산염, 초산염, 질산염, 인산염, 할로겐 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 +2가 금속 이온은 M+2으로서 Mg, Ca, Sr, Ba, Fe, Ru, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Zn, Cd, Si, Ge, Sn, Pb, 상기 +3가 금속 이온은 M+3으로서 Eu, W, Sc, Y, V, Ta, Cr, Mo, Mn, Ru, Ga, In, Tl, As, 상기 +4가 금속 이온은 M+4으로서 Ti, Zr, V, Sn, Pb, Ge, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 방향족 디카르복실산은 테레프탈산, 이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르복실산, 1,5-나프탈렌디카르복실산, 4,4‘-비페닐디카르복실산, p-테르페닐디카르복실산, 페난트렌디카르복실산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 치환된 방향족 디카르복실산이 가지는 상기 긴 측쇄는, 탄소수 1 내지 24인 알킬기로서 그의 말단에 수소, 메틸, 히드록실, 할로겐, 술포닐(SO3), 포스포닐(PO3)아닐린, 카바졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 갖는 알킬기, R-Ar로 표시되는 아랄킬기로서 상기 R이 그의 말단에 수소, 메틸, 히드록실, 할로겐, 술포닐(SO3), 포스포닐(PO3)아닐린, 카바졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 갖는 탄소수 1~24의 알킬기인 아랄킬기, -(CH2CH2O)n (여기서, n=1 내지 6의 정수)인 알킬옥시딜, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 수열 또는 용매열 방법에 의한 중합반응을 촉진하기 위하여 약염기용액을 첨가하거나 교반하는 방식으로 반응이 변형되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 수열 방법에 의한 중합에 사용되는 수성 용매계는 물, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 2-부톡시에탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 10 항에 있어서, 상기 용매열 방법에 의한 중합에 사용되는 용매는 DMF, DEF, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, 2-부톡시에탄올, 클로로벤젠, 클로로포름, 톨루엔, 벤젠 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 용매에 용해 또는 나노분산 가능한 선형 금속-유기 고분자의 제조 방법.

제 1 항에 따른 선형 금속-유기 고분자를 포함하며, 센서, 열전소재, 발광체, 광소재, 전기발광 소재, 디스플레이, 태양전지, 촉매, 겔방지, 전자파차폐, 부식방지제, 또는 항력 감소제(drag reducing agent) 제조에 사용되는, 나노기능성 재료.

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