반도체 기판과상기 반도체 기판의 후면 양쪽 끝에 형성되어 있는 절연부와,상기 반도체 기판의 후면 중 상기 절연부를 제외한 나머지 부분에 형성되어 있는 터널링층과,상기 터널링층 위에 상기 반도체 기판과 pn접합을 이루는 제1 도전형 영역과,상기 반도체 기판의 전면에 형성되어 있는 제2 도전형 영역과,상기 제2 도전형 영역 위에 형성되는 제1 절연막과,상기 제1 도전형 영역과 상기 상기 절연부 위에 형성되는 제2 절연막과,상기 제1 도전형 영역과 컨택하는 제1 전극과,상기 제2 도전형 영역과 컨택하는 제2 전극을 포함하고,상기 절연부는 상기 제1 도전형 영역과 상기 터널링층이 존재하지 않으며, 상기 반도체 기판의 전면과 양쪽 측면, 그리고 상기 절연부는 요철이 형성되어 있으며,상기 절연부는 상기 반도체 기판의 후면 상에서, 상기 반도체 기판의 후면과 상기 터널링층 및 상기 제1 도전형 영역의 단차에 의해 형성된 태양 전지.