반도체 박막 제조를 위한 기상 증착용 비대칭 구조의 신규한 4족 전이금속화합물 및 그 제조방법
반도체 박막 제조를 위한 기상 증착용 비대칭 구조의 신규한 4족 전이금속화합물 및 그 제조방법
NEW FOURTH GROUP TRANSITION METAL COMPOUNDS USED IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR THIN FILM WITH VAPOR DEPOSTION PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
특허 요약
본 발명은 4족 전이금속에 서로 다른 알킬사이클로디엔계 리간드를 포함하는 비대칭 분자구조를 가지는 신규한 4족 전이금속 화합물 및 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로는 화학 기상 증착법 (chemical vapor deposition, CVD) 또는 원자층 증착법 (atomic layer deposition ALD)를 이용하여 4족 전이금속이 포함된 반도체 박막 제조가 가능한 신규한 4족 전이금속화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
청구항
번호
청구항
1
화학식 1의 전이금속 화합물.(화학식 1)화학식 1에서 M 은 Ti, Zr, 및 Hf 중 어느 하나이고, RCp1과 RCp2는 서로 다른 알킬 고리형 디엔 리간드이며, Y는 알킬아미노, 알콕시, 및 알킬 중 어느 하나이다.