본 발명은 반도체소자의 전하보존전극 제조방법에 관한 것으로서, 소정구조의 반도체기판상에 전하보존전극 콘택홀을 구비하는 평탄화층을 형성하고, 상기 전하보존전극 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판과 접촉되는 제1실리콘층을 형성하고, 상기 제1실리콘층상에 식각선택비차가 있는 절연막이 중간에 개재되어 있는 삼층의 절연막을 형성하고, 전하보존전극 마스크를 사용하여 상기 삼층 절연막을 패턴잉하고 중간층에 언더컷이 지도록한 후, 상기 구조의 전표면에 언더컷을 메우는 제2실리콘층을 도포하고 제2 및 제1실리콘층을 순차적으로 전면 이방성식각하여 전하보존전극 콘택홀을 메우는 제1실리콘층 패턴과 언더컷을 메우는 스페이서 형상의 제2실리콘층 패턴을 형성하여 전하보존전극을 구성하였으므로, 공정이 간단하고 단차의 증가 없이 전하보존전극의 표면적이 증가되어 소자동작의 신뢰성과 공정수율을 향상시킬 수 있다.