산화막/완충 폴리실리콘막/질화막의 3중막을 확산마스크층으로 사용하는 PBL구조를 갖는 반도체 소자의 분리막 형성방법에 있어서, 소자분리막 형성후 질화막을 제거하는 단계;활성영역의 상기 완충 폴리실리콘막을 산화시켜 습식 식각의 방법으로 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성방법에 관한 것으로, 활성영역의 기판 손상이 작기 때문에 차후 공정에서 형성되는 게이트산화막의 특성이 향상되어 반도체 소자의 수율 및 수명 향상을 도모할 것으로 기대되며 또한 게이트산화막 형성공정 전에 진행되는 희생 산화막 공정에 본 발명의 방법이 포함되기 때문에 완충 폴리실리콘막 제거공정을 생략할 수 있어 1단계의 공정을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 활성영역과 필드사이의 단차가 감소하여 패턴형ㅎ성공정이 쉬워지는 효과를 갖는다.