본 발명은 수광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1도전형의 기판과, 상기 제1도전형의 기판의 상부 일부에 각각 이격되어 배치되는 제1도전형 도핑층과, 상기 제1도전형 도핑층의 상부에 배치되는 제2도전형 도핑층과, 상기 제2도전형 도핑층 사이를 연결하는 복수의 나노와이어와, 상기 제2도전형 도핑층 각각의 상부에 배치되는 금속전극을 포함하되, 상기 나노와이어는, 제2도전형 단결정 박막의 전면에 산화막을 성장시켜, 선폭이 결정될 수 있다.