| 번호 | 청구항 |
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| 8 | 제7항에 있어서,상기 프리 패터닝은, 나노 임프린트 몰드에 형성된 패턴을 나노 임프린팅 방식으로 상기 기판에 전사하여 나노 패턴을 형성하는 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 10 | 제9항에 있어서,상기 유기 물질의 활성층은,PEDOT:PSS, P3HT, PCDTBT, PCTDTBT, MEH-PPV, PTB7, PBDTTT-CF, PFN, PCBM, 및 ICBA 중 하나 이상인 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 9 | 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판이 알루미늄 금속판 또는 플렉시블 알루미늄 금속판인 경우,상기 알루미늄 금속판 또는 플렉시블 알루미늄 금속판을 양극산화 후 산화 알루미늄을 에칭하는 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 1 | 기판;상기 기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 쌓아가기 방식의 경사각 증착법에 의하여 형성된 3차원 나노 구조를 갖는 무기 물질의 활성층;상기 무기 물질의 활성층 상에 코팅되는 유기 물질의 활성층; 및상기 유기 물질의 활성층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 기판은,알루미나 기판, 사파이어 기판, 절연재로 이루어진 절연층이 증착된 실리콘 기판ㆍ금속 기판ㆍ전도성 산화물 기판ㆍ전도성 폴리머 기판, 플랙시블 폴리머 기판 또는 플랙시블 금속판 중 어느 하나인 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 3 | 제2항에 있어서,상기 하부 전극은, Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg 중 선택되는 하나 이상으로 형성되는 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 4 | 제3항에 있어서,상기 무기 물질의 활성층은,Si, GaAs, ZnO 및 TiO2 중 하나 이상인 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 5 | 제4항에 있어서,상기 3차원 나노 구조는,나노 헬릭스, 나노 막대, 경사 나노 막대, 나노 와이어, 나노 리본, 나노 스피링 또는 나노 콘 형상 중 하나 이상인 유/무기 하이브리드 태양전지 |
| 6 | 제5항에 있어서, 상기 무기 물질의 활성층은, 상기 기판 위에 프리 패터닝(pre-patterning)을 통하여 나노 구조를 갖도록 하는 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 7 | 제6항에 있어서,상기 프리 패터닝은,Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh, Mg, ITO, FTO, AZO, GZO, IZO, ZnO 및 SnO2 중 하나 이상으로 나노점을 형성하는 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 11 | 제10항에 있어서,상기 상부 전극은,Fe, Ag, Au, Cu, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Mn, Si, Ta, Ti, Sn, Pb, V, Ru, Ir, Zr, Rh 및 Mg 중 하나를 선택하여 그리드 전극으로 형성된 유/무기 하이브리드 태양전지. |
| 12 | 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 쌓아가기 방식의 경사각 증착법을 이용하여 형성되는 나노 구조를 갖는 무기 물질의 활성층을 형성하는 단계;상기 나노 구조를 갖는 무기 물질의 활성층 상에 코팅되는 유기 물질의 활성층을 형성하는 단계; 및상기 유기 물질의 활성층 상에 형성되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 13 | 제12항에 있어서,상기 하부 전극을 형성하는 단계는, 상기 하부 전극 물질을 100nm 내지 1000nm로 증착하는 단계를 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 14 | 제13항에 있어서, 상기 하부 전극을 형성하는 단계는,상기 기판은 나노 임프린트 몰드에 의해 프리 패터닝된 것으로서, 상기 기판의 패턴을 따라 100nm 내지 1000nm로 상기 하부 전극 물질을 증착하는 단계를 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 15 | 제12항에 있어서,상기 하부 전극을 형성하는 단계에서는,상기 기판이 플랙시블 알루미늄판으로 사용되는 경우, 양극산화 후 산화 알루미늄을 에칭하고, 남아 있는 딤플 어레이가 프리 패턴으로 사용되는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 16 | 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 무기 물질의 활성층을 형성하는 단계는,무기 물질의 활성층을 증착시 플럭스 선과 하부 전극이 경사지도록 증착하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 17 | 제16항에 있어서,상기 무기 물질의 활성층을 형성하는 단계는,무기 물질의 활성층을 증착시 플럭스 선과 하부 전극이 경사지도록 한 상태에서 기설정된 속도 및 방향의 패턴으로 회전시키면서 증착하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 18 | 제17항에 있어서,상기 무기 물질의 활성층을 형성하는 단계는,금속 물질을 전자선 증착법, 열 증착법 또는 스퍼터링 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 증착하거나, 증착된 금속 물질의 열처리로 나노점을 형성하는 프리 패터닝하는 단계를 더 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 19 | 제17항에 있어서,상기 무기 물질의 활성층을 형성하는 단계는,전자선 리소그라피(electron-beam lithography), 레이저 간섭 리소그라피(laser interference lithography) 또는 나노 임프린트 리소그라피(nano imprint lithography) 후에 에칭하는 단계를 더 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법 |
| 20 | 제18항에 있어서,상기 무기 물질의 활성층을 형성하는 단계는,알루미늄 양극산화 방법, 광화학 에칭 방법, 전자빔 리소그래피 방법 또는 나노 피라미드 형상을 갖는 산화물을 이용하는 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 형성된 나노 임프린트 몰드의 패턴을 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 21 | 제20항에 있어서,상기 유기 물질의 활성층을 형성하는 단계는,유기 물질의 활성층에 사용되는 폴리머 물질을 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅 또는 닥터 블레이딩 중 어느 하나의 방법을 이용하여 코팅되는 단계를 포함하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |
| 22 | 제21항에 있어서,상기 상부 전극을 형성하는 단계에서는,상부 전극 물질을 전자선 증착법, 열 증착법 또는 스퍼터링 증착법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 그리드 전극으로 형성하는 유/무기 하이브리드 태양전지 제조방법. |