기판 및 상기 기판 상에 배치되며 트랩핑 특성을 갖는 절연층으로써, 단일막으로 이루어진 제1 박막을 포함하는 시료를 준비하는 단계;C-V 측정을 이용하여 상기 제1 박막에 트랩핑된 전하의 극성 및 전하량을 측정하는 제1 측정 단계;상기 제1 박막의 밴드갭 내부의 트랩 상태 밀도를 측정하는 제2 측정 단계; 및상기 제1 측정 단계 및 상기 제2 측정 단계에서 측정한 상기 전하의 극성, 상기 전하량 및 상기 트랩 상태 밀도를 이용하여, 상기 제1 박막의 에너지 레벨에 따른 제1 상태 밀도 정보를 구성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 박막은 0.1 내지 200 nm 범위의 단일막인 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제1항에 있어서,상기 제2 측정 단계는,분광타원법(SE: Spectroscopic Ellipsometry) 및 전자 에너지 손실 분광학(REELS: Reflective Electron Energy Loss Spectroscopy) 중 하나 이상의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제1항에 있어서,상기 제1 박막에 금속을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제4항에 있어서,C-V 측정을 이용하여 상기 금속이 도핑된 제1 박막에 트랩핑된 전하의 극성 및 전하량을 측정하는 제3 측정 단계;상기 금속이 도핑된 제1 박막의 밴드갭 내부의 트랩 상태 밀도를 측정하는 제4 측정 단계; 및상기 제3 측정 단계 및 상기 제4 측정 단계에서 측정한 상기 전하의 극성, 상기 전하량 및 상기 트랩 상태 밀도를 이용하여 상기 금속이 도핑된 제1 박막의 에너지 레벨에 따른 제2 상태 밀도 정보를 구성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제5항에 있어서,상기 제4 측정 단계는,분광타원법 및 전자 에너지 손실 분광학 중 하나 이상의 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제5항에 있어서,상기 제1 상태 밀도 정보 및 상기 제2 상태 밀도 정보를 비교하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

기판 및 상기 기판 상에 배치되며 트랩핑 특성을 갖는 절연층으로써, 단일막으로 이루어진 제1 박막을 포함하는 시료를 준비하는 단계;C-V 측정을 이용하여 상기 제1 박막에 트랩핑된 전하의 극성 및 전하량을 측정하는 제1 측정 단계;전자 에너지 손실 분광학을 이용하여 상기 제1 박막의 밴드갭 및 상기 밴드갭 내부의 트랩 상태 밀도를 측정하는 제2 측정 단계;분광타원법을 이용하여 상기 제1 박막의 상기 밴드갭 내부의 상기 트랩 상태 밀도를 측정하는 제3 측정 단계; 및상기 제1 측정 단계 내지 상기 제3 측정 단계에서 측정한 상기 전하의 극성, 상기 전하량 및 상기 트랩 상태 밀도를 이용하여 상기 제1 박막의 에너지 레벨에 따른 제1 상태 밀도 정보를 구성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제8항에 있어서,상기 제1 박막에 금속을 도핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.

제9항에 있어서,상기 금속이 도핑된 제1 박막에 상기 제1 측정 단계 내지 상기 제3 측정 단계를 수행하여 상기 금속이 도핑된 제1 박막의 제2 상태 밀도 정보를 구성하는 단계; 및상기 제1 상태 밀도 정보 및 상기 제2 상태 밀도 정보를 비교하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 평가 방법.