회로 기판;상기 회로 기판 상에 실장되는 반도체 칩;상기 회로 기판 상에서 상기 반도체 칩의 주위에 배치되는 방열 부재; 및상기 반도체 칩과 상기 방열 부재 사이에 배치되며, 절연성 수지체와, 상기 절연성 수지체 내에서 상변화 금속 입자들이 상호 연결되도록 배열된 연결 구조체를 갖는 열 전달 부재;를 포함하고,상기 상변화 금속 입자들의 연결 구조체는 상기 반도체 칩의 표면과 상기 방열 부재의 표면에 각각 접촉하며 상기 반도체 칩으로부터 발생된 열을 상기 방열 부재로 전달하는 열전달 경로를 제공하는 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들은, 갈륨(Ga), 또는 인듐(In), 비스무트(Bi) 및 주석(Sn)의 합금을 포함하는 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들은, 구형상 또는 유사 구형상을 가지며, 상기 금속 입자를 둘러싸는 쉘을 포함하는 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들은, 서로 동일한 직경을 갖는 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들은, 제1 직경을 갖는 제1 상변화 금속 입자들과, 제1 직경보다 작은 제2 직경을 갖는 제2 상변화 금속 입자들을 포함하는 반도체 패키지.

제5항에 있어서,상기 제1 상변화 금속 입자들은 상기 방열 부재의 표면과 접촉하도록 배열되고, 상기 제2 상변화 금속 입자들은 상기 반도체 칩의 표면과 접촉하도록 배열되는 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들은 2개 이상의 층으로 배열되는 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들의 녹는점은 20℃ 이상의 온도인 반도체 패키지.

제1항에 있어서,상기 상변화 금속 입자들은 각각 0.1㎜〜5㎜ 범위인 반도체 패키지.

서로 반대되는 제1 면과 제2 면을 가지며, 상기 제1 면 및 상기 제2 면에 각각 배치된 상부 연결 단자들 및 하부 연결 단자들을 포함하는 인터포저;상기 인터포저 상에 각각 배치되며, 상기 상부 연결 단자들에 각각 연결되는 복수의 반도체 칩들; 상기 하부 연결 단자들과 각각 연결되도록 상기 인터포저가 실장되는 패키지 기판;상기 패키지 기판 상에 배치되며, 상기 인터포저와 상기 복수의 반도체 칩들을 덮는 방열 부재; 및상기 반도체 칩과 상기 방열 부재 사이에 배치되며, 절연성 수지체와, 상기 절연성 수지체에 상변화 금속 입자들이 상호 연결되도록 배열된 연결 구조체를 갖는 열 전달 부재;를 포함하고,상기 상변화 금속 입자들의 연결 구조체는 상기 반도체 칩의 표면과 상기 방열 부재의 표면에 각각 접촉하며 상기 반도체 칩으로부터 발생된 열을 상기 방열 부재로 전달하는 열 전달 경로를 제공하는 반도체 패키지.