관통 실리콘 비아(TSV, Through Silicon Via) 및 인덴트 어레이를 포함하는 시편을 준비하는 것;상기 인덴트 어레이에 제공되는 복수 개의 인덴트들 각각의 잔류응력값을 측정하는 것;상기 인덴트들 각각의 상기 잔류응력값을 기준값과 비교하는 것; 및상기 인덴트들 중 상기 기준값 이하의 상기 잔류응력값을 갖는 타겟 인덴트와 상기 관통 실리콘 비아 사이의 거리를 측정하여 킵아웃존(Keep-out Zone)을 설정하는 것을 포함하는, 관통 실리콘 비아의 주변의 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 시편을 준비하는 것은, 기판, 절연막들, 금속 배선 패턴들 및 시편 보호막을 적층하는 것을 포함하는 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 시편을 준비하는 것은, 기판, 절연막들, 금속 배선 패턴들 및 시편 보호막을 적층하는 것을 포함하는 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 인덴트 어레이는 매트릭스 형태로 배열되는 인덴트들을 포함하고,상기 인덴트들 사이 간격은 0㎛ 초과 및 4㎛ 이하인 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 관통 실리콘 비아는 구리(Cu)를 포함하는 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 잔류응력을 측정하는 것은, 나노 인덴터(Nano indenter)를 이용하여 나노인덴테이션(Nano-indentation) 기술을 이용하는 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 잔류응력을 측정하는 것은, 상기 인덴트둘 중 상기 관통 실리콘 비아에 가장 인접한 인덴트부터 순차적으로 측정하는 것을 포함하는 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 기준값은 322 MPa 내지 652 MPa인 잔류응력 측정방법.

제1항에 있어서,상기 킵아웃존을 설정하는 것은,상기 기준값 이하의 제1 잔류응력값을 갖는 제1 타겟 인덴트와 상기 관통 실리콘 비아 사이의 거리인 제1 간격, 및 상기 기준값 이하의 제2 잔류응력값을 갖는 제2 타겟 인덴트와 상기 관통 실리콘 비아 사이의 거리인 제2 간격을 비교하는 것; 및상기 제1 및 제2 간격들 중 더 큰 값을 선택하는 것을 포함하는 잔류응력 측정방법.

제9항에 있어서,상기 킵아웃존의 반지름은 상기 제1 및 제2 간격들 중 더 큰 값이고,상기 킵아웃존은 원형 영역인 잔류응력 측정방법.