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번호	청구항
1	미세 입자들을 산성 용액과 혼합하여 상기 각 미세 입자들의 표면에 형성된 산화막을 제거하고;상기 산성 용액 내에 액체 금속을 주입하여 상기 액체 금속의 표면에 형성된 산화막을 제거하며, 이에 따라 상기 산성 용액 내에서 상기 산화막이 제거된 미세 입자들이 상기 산화막이 제거된 액체 금속 내로 침투하고; 그리고상기 미세 입자들이 내재된 상기 액체 금속을 추출하는 것을 포함하는 열 전달 물질의 제조 방법.
2	제 1 항에 있어서, 상기 액체 금속은 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 주석(Sn)을 포함하는 합금인 열 전달 물질의 제조 방법.
3	제 2 항에 있어서, 상기 합금은 60wt% 내지 80wt%의 갈륨(Ga), 12wt% 내지 40wt%의 인듐(In) 및 0wt% 내지 20wt%의 주석(Sn)을 포함하는 열 전달 물질의 제조 방법.
4	제 1 항에 있어서, 상기 미세 입자들은 상기 액체 금속의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 열 전달 물질의 제조 방법.
5	제 4 항에 있어서, 상기 미세 입자들은 구리(Cu) 또는 은(Ag)을 포함하는 열 전달 물질의 제조 방법.
6	제 1 항에 있어서, 상기 산성 용액은 염산을 포함하는 열 전달 물질의 제조 방법.
7	제 1 항에 있어서, 상기 각 미세 입자들은 구형 또는 타원형이고, 그 지름이 20nm 내지 100μm인 열 전달 물질의 제조 방법.
8	제 1 항에 있어서, 상기 미세 입자들이 내재된 상기 액체 금속에 대한 상기 미세 입자들의 부피 비율은 1% 내지 5%인 열 전달 물질의 제조 방법.
9	제 1 항에 있어서, 상기 각 미세 입자들의 표면에 형성된 상기 산화막을 제거한 이후에,상기 산성 용액 내에서 상기 미세 입자들을 분산시키는 것을 더 포함하는 열 전달 물질의 제조 방법.
10	액체 금속; 및상기 액체 금속 내에 포함되며, 산화막이 형성되지 않은 미세 입자들을 구비하며,상기 미세 입자들을 포함하는 상기 액체 금속에 대한 상기 미세 입자들의 부피 비율은 1% 내지 5%이고,상기 미세 입자들을 포함하는 액체 금속의 열전도도는 40W/m・K 이상인 열 전달 물질.
11	제 10 항에 있어서, 상기 액체 금속은 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 주석(Sn)을 포함하는 합금인 열 전달 물질.
12	제 11 항에 있어서, 상기 합금은 60wt% 내지 80wt%의 갈륨(Ga), 12wt% 내지 40wt%의 인듐(In) 및 0wt% 내지 20wt%의 주석(Sn)을 포함하는 열 전달 물질.
13	제 10 항에 있어서, 상기 미세 입자들은 상기 액체 금속의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 열 전달 물질.
14	제 13 항에 있어서, 상기 미세 입자들은 구리(Cu) 또는 은(Ag)을 포함하는 열 전달 물질.
15	제 10 항에 있어서, 상기 각 미세 입자들은 구형 또는 타원형이고, 그 지름이 20nm 내지 100μm인 열 전달 물질.
16	패키지 기판;상기 패키지 기판 상에 배치된 반도체 칩;상기 반도체 칩 상에 배치된 방열 부재; 및상기 반도체 칩 상면에 코팅되어, 상기 반도체 칩과 상기 방열 부재를 접합시키는 제1 열 전달 물질을 포함하고,상기 제1 열 전달 물질은액체 금속; 및상기 액체 금속 내에 포함되며, 산화막이 형성되지 않은 미세 입자들을 구비하며,상기 미세 입자들을 포함하는 상기 액체 금속에 대한 상기 미세 입자들의 부피 비율은 1% 내지 5%이고,상기 미세 입자들을 포함하는 액체 금속의 열전도도는 40W/m・K 이상인 반도체 패키지.
17	제 16 항에 있어서, 상기 액체 금속은 갈륨(Ga), 인듐(In) 및/또는 주석(Sn)을 포함하는 합금인 반도체 패키지.
18	제 17 항에 있어서, 상기 합금은 60wt% 내지 80wt%의 갈륨(Ga), 12wt% 내지 40wt%의 인듐(In) 및 0wt% 내지 20wt%의 주석(Sn)을 포함하는 반도체 패키지.
19	제 16 항에 있어서, 상기 미세 입자들은 상기 액체 금속의 열전도도보다 큰 열전도도를 갖는 반도체 패키지.
20	제 16 항에 있어서, 상기 각 미세 입자들은 구형 또는 타원형이고, 그 지름이 20nm 내지 100μm인 반도체 패키지.