기판으로부터 돌출되는 핀 구조체 및 제1 절연막을 제공하되, 상기 핀 구조체는 상기 제1 절연막 내에 매립되고, 상기 핀 구조체의 상면은 상기 제1 절연막에 의해 노출되고,상기 핀 구조체와 인접한 제1 절연막을 제거하여, 상기 핀 구조체의 양 측면의 일부를 노출시키고,노출된 상기 핀 구조체의 양 측면의 일부 상에 스페이서를 제공하고,상기 스페이서 사이에서, 상기 핀 구조체로부터 제1 소오스/드레인 영역을 에피택셜하게 성장시키고,캡핑 층을 제공하여 상기 스페이서를 서로 연결하여, 상기 핀 구조체의 측면의 상부 및 상기 제1 소오스/드레인 영역의 측면 및 상면을 덮는 역 U자 형상을 갖는 중간 캡 구조체를 형성하고,상기 제1 절연막을 제거하고,상기 핀 구조체 및 상기 중간 캡 구조체 상에, 상기 핀 구조체 및 상기 중간 캡 구조체를 따라, 일 함수 금속 게이트 층 및 게이트 절연막을 제공하고,상기 일 함수 금속 게이트 층 및 상기 게이트 절연막을 부분적으로 제거하여, 상기 중간 캡 구조체 아래에, 금속 게이트 및 게이트 절연 패턴을 정의하는 것을 포함하는 수직 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.