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특허내용
상세정보
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특허 요약
개시된 수평형 포토 다이오드는 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연 마스크층; 상기 절연 마스크층의 일면에 접촉하며, 상기 일면과 나란한 방향을 따라 순차 배치된 제1형 반도체층, 활성층, 제2형 반도체층;을 포함한다. 상기 절연 마스크층은 관통홀이 구비되어, 상기 제1형 반도체층, 활성층, 제2형 반도체층이 상기 관통홀로부터 측면 과성장법에 의해 형성된다.
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