| 번호 | 청구항 |
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| 23 | 제 22항에 있어서, 상기 용매가 제거된 나노입자를 용매에 분산시킨 후, 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 24 | 제 23항에 있어서, 상기 불순물을 제거하는 단계는 원심분리법을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 1 | (a) 나노입자의 표면이 전하를 띄도록 나노입자의 표면을 개질하는 단계; 및(b) 상기 표면개질된 나노입자를 용매에 분산시키고 나노입자가 분산된 용액의 pH를 조절하는 단계;를 포함하는 나노입자의 분산방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 전하를 띈 물질과 나노입자의 분산액을 반응시키는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 3 | 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 25~200℃의 온도 범위에서 0.5 ~ 10 시간 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 4 | 제 2항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전하를 띈 물질이 머르캅토 작용기와 산 또는 염기로 이루어진 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 5 | 제 1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 개질된 나노입자를 진공건조를 통해 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 6 | 제 5항에 있어서, 상기 용매가 제거된 나노입자를 용매에 분산 시킨 후, 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 7 | 제 6항에 있어서, 상기 불순물을 제거하는 단계는 원심분리법을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 8 | 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 II-VI족, III-V족, IV-VI족 또는 IV족 화합물 반도체; 금속 및 마그네틱 입자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 9 | 제 8항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InP, InAs, InSb, SiC, Pd, Fe, Pt, Ni, Co, Al, Ag, Au, Cu, Fe, Pt, Fe2O3 , Fe3O4, Si 및 Ge으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 10 | 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 코어-쉘 구조인 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 11 | 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH는 7~9 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 12 | 제 11항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH는 7~8 범위인 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 13 | 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 용매는 물 또는 극성용매 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 분산방법. |
| 14 | 제 1항의 방법에 의해 pH가 조절된 나노입자 분산용액을 기판에 코팅하는 단계를 포함하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 15 | 제 14항에 있어서, 상기 기판에 세척 및 작용기가 표면에 흡착되도록 전처리 하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 16 | 제 15항에 있어서, 상기 작용기는 산 또는 염기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 17 | 제 14항에 있어서, 상기 코팅이 드롭캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 분무코팅(spray coating), 흐름코팅(flow coating) 및 스크린 인쇄(screen printing)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 18 | (a) 나노입자의 표면이 전하를 띄도록 나노입자의 표면을 개질하는 단계;(b) 상기 표면개질된 나노입자를 용매에 분산시키고 나노입자가 분산된 용액의 pH를 조절하는 단계; 및(c) 상기 pH가 조절된 나노입자 분산용액을 모세관력에 의하여 기판에 나노입자 단일막으로 제조하는 단계;를 포함하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 19 | 제 18항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 전하를 띈 물질과 나노입자의 분산액을 반응시키는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 20 | 제 19항에 있어서, 상기 (a) 단계의 표면개질이 25~200℃의 온도 범위에서 0.5 ~ 10 시간 반응시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 21 | 제 19항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전하를 띈 물질이 머르캅토 작용기와 산 또는 염기로 이루어진 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 22 | 제 18항에 있어서, 상기 (a)단계에서 개질된 나노입자를 진공건조를 통해 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 25 | 제 18항에 있어서, 상기 (a) 단계의 나노입자가 II-VI족, III-V족, IV-VI족 또는 IV족 화합물 반도체; 금속 및 마그네틱 입자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 26 | 제 18항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH 는7~9범위인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 27 | 제 26항에 있어서, 상기 (b) 단계의 pH는 7~8범위인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 28 | 제 18항에 있어서, 상기 (b) 단계의 용매는 물 또는 극성용매로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 29 | 제 18항에 있어서, 상기 기판에 세척 및 작용기가 표면에 흡착되도록 전처리 하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 30 | 제 18항에 있어서, 상기 (c) 단계의 모세관력에 의하여 기판에 나노입자 단일막을 제조하는 단계는 딥코팅(dip coating)을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막의 제조방법. |
| 31 | 제 18항에 따른 방법에 의해 형성된 나노입자 단일막을 포함하는 나노입자 박막. |
| 32 | 제 31항에 따른 나노입자 막막을 포함하는 전자소자. |
| 33 | 제 32항에 있어서, 상기 전자소자가 플래쉬 메모리(flash memory), D램(DRAM), 하드 디스크(hard disk), 발광소자(Light Emitting Device) 또는 유기발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)인 것을 특징으로 하는 전자소자. |
