본 발명은 테라비트급으로 고집적화가 가능한 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 MRAM 및 그 제조 방법(Vertical nano-size magnetic random access memory using carbon nanotubes)을 개시한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 MRAM은 알루미나와 같은 절연막에 직경 수nm의 구멍을 수 nm 간격으로 형성하여 탄소나노튜브를 화학기상법, 전기영동법 또는 기계적 방법으로 나노 크기의 구멍 속에서 수직으로 배열시켜 채널로 이용한다. 탄소나노튜브를 양자점으로 이용하여 전자를 제한하는 구조로, 전자 몇 개로 MRAM을 구현할 수 있어 저전력 구동으로 여러 가지 장점을 지니고 있다.