본 발명은 쓰기 및 읽기 회로를 갖는 마그네틱 터널 접합 소자를 이용한 자기 메모리(Magnetic memory with circuits for write and read using magnetic tunnel junction (MTJ) devices)를 기재한다. 본 발명에 따른 읽기 및 쓰기 회로를 갖는 자기 터널 접합 소자를 이용한 자기 메모리는 워드라인들과 읽기용 비트라인들의 교차점들에 각각 자기 터널 접합(MTJ) 소자를 배치하여 메모리셀들을 형성하고, 쓰기용 비트라인을 읽기용 비트라인과 나란하게 배치한 다음 워드라인으로부터 전류가 쓰기용 비트라인으로 자기터널접합 소자의 측면 및 저면을 우회하여 흐를 수 있도록 하는 전류 우회 통로를 구비함으로써, 각각 선택된 셀(cell)에 한해서만 MTJ의 자화(magnetization) 방향을 바꿀 수 있는 크기의 전기장(field)을 인가할 수 있도록 하되, 쓰기 동작시에는 자기 터널 접합(MTJ)에서의 자유층(free layer)의 자화 방향이 워드라인과 전류 우회 통로를 따라 흐르는 전류에 의하여 고정된 강자성층(pinned ferromagnetic layer)의 자화(magnetization)의 방향과 평행(parallel) 또는 반평행(anti-parallel)한 방향이 되도록 형성한다.