본 발명은 SrRuO 3 , SrTiO 3 완충층을 사용하여 마이크로웨이브 특성을 향상시킨 BSTO(Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 ) 튜너블 캐패시터(The microwave properties enhancement BSTO tunable capacitor using SrRuO 3 , SrTiO 3 buffer layers) 및 이를 이용한 튜너블 RF 소자(tunable RF device)를 기재한다. 본 발명에 따른 SrRuO 3 , SrTiO 3 완충층을 사용하여 마이크로웨이브 특성을 향상시킨 BSTO(Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 ) 튜너블 캐패시터는, 전극과 유전체인 BST 박막 사이에 SrRuO 3 완충층을 구비하고, BST박막과 기판 사이에 SrTiO 3 완충층을 구비함으로써, 다음과 같이 마이크로웨이브 특성(microwave property; loss, tunability)을 향상시킨다.