본 발명은 반도체 레이저소자에 관한 것으로서 특히 다중양자장벽(multi-quantum barrier)을 이용하여 열저항의 감소와 전기적특성을 향상시킨 반도체 레이저소자에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 레이저 소자는 n + GaAs기판과 상기 기판상에 형성된 하부버퍼층; 상기 하부버퍼층 상에 형성된 하부제1클래드층; 상기 하부클래드층 상에 형성된 n - GAlInP 하부 제2클래드층; 상기 제2하부클래드층 상에 형성된 단일양자우물을 갖는 GaInP 확성층; 상기 활성층상에 형성된 p-GaAlInP상부 제1클래드층; 상기 상부제1클래드층에 형성된 AlAs/GaAs다중양자장벽층; 상기 다중 양자장벽층 상에 형성된 상부제2클래드층; 상부 제2클래드층상에 형성된 상부버퍼층을 구비한 것을 특징으로 한다. 본 발명은 다중야자장벽층을 다중양자장벽은 AlAs를 사용하고, 다중양자웰은 GaAs를 사용하여 유효포텐셜장벽 높이(effective potential barrier)를 향상시켜 반도체 레이저소자의 전기적, 광적특성을 향상시킬 수 있다.