제11항의 전극, 상대전극, 및 전해질 또는 이온화 액체를 포함하는 전기화학 물분해 장치.

제1항 내지 제6항 중에서 선택된 어느 한 항의 기판 포함 나노구조체를 포함하는 전기화학적 물분해용 촉매.

제9항에 있어서,상기 전기화학적 물분해용 촉매는 수소발생반응용 촉매 또는 산소발생반응용 촉매인 것인 전기화학적 물분해용 촉매.

제9항의 전기화학적 물분해용 촉매를 포함하는 전극.

기판; 및상기 기판 상에 수직 방향으로 성장되어, 정렬된 복수의 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체;를 포함하고,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체는 표면 전체 또는 일부분에 전이금속이 도핑된 구조인 것이고,상기 나노구조체는 나노와이어, 나노튜브 또는 나노막대 형태이고, 상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체는 평균 직경이 80 내지 200 nm인 기판 포함 나노구조체.

제1항에 있어서,상기 기판은 니켈 폼인 것인 기판 포함 나노구조체.

제1항에 있어서,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 니켈 인화물은 NiP, Ni2P 또는 이들의 혼합물인 것인 기판 포함 나노구조체.

제1항에 있어서,상기 니켈인화물 나노구조체는 X선 회절법에 의해 측정한 결정 면간거리(d-spacing)가 0.1 내지 0.5 nm인 것인 기판 포함 나노구조체.

제1항에 있어서,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 전이금속은 Fe, Mo, V 및 Co로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 기판 포함 나노구조체.

제1항에 있어서,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 전이금속 도핑량은 니켈인화물 나노구조체 100 중량%에 대하여 1 내지 20 중량%인 것인 기판 포함 나노구조체.

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기판 상에 아연 전구체 및 수산화물을 투입하고, 기판 상에 수직한 방향을 따라 정렬된 복수의 산화아연 나노구조체를 성장시키는 단계;상기 산화아연 나노구조체 상에 니켈전구체 및 전이금속 전구체를 투입하고, 1차 열처리하여 상기 산화아연 나노구조체를 전이금속이 도핑된 니켈산화물 나노구조체로 변환시키는 단계; 및상기 전이금속이 도핑된 니켈산화물 나노구조체에 인 전구체를 투입하고, 2차 열처리하여 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 아연 전구체는 Zn(NO3)2, Zn(OH)2 및 Zn(CH3)2로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 수산화물은 수산화암모늄(NH4OH), 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화바륨(Ba(OH)2) 및 수산화리튬(LiOH)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 산화아연 나노구조체를 성장시키는 단계는 열수 합성(hydrothermal synthesis)법에 의해 수행되는 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제16항에 있어서,상기 열수 합성법은 80 내지 200 ℃에서 2 내지 24 시간 동안 수행되는 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 니켈 전구체는 니켈 아세테이트, 니켈 할로겐화물, 니켈 나이트레이트, 니켈 하이드록사이드 및 니켈 카르보닐 착화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 전이금속 전구체는 MxCly(여기서, M은 Mo, Fe, V 또는 Co이고, x는 1≤x≤5이고, y는 2≤y≤10임)인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 전이금속이 도핑된 니켈산화물 나노구조체로 변환시키는 단계에서 1차 열처리는 550 내지 850 ℃에서 0.3 내지 4 시간 동안 양이온 교환(cation exchange)법에 의해 수행되는 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 인 전구체는 차아인산나트륨(NaPO2H2・H2O), 인산염(H3PO4), 모노암모늄포스페이트(NH4H2PO4), 디암모늄포스페이트((NH4)2HPO4), 트리에틸포스핀((C2H5)3P) 및 트리메틸포스핀((CH3)3P)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체를 제조하는 단계에서 2차 열처리는 300 내지 500 ℃에서 0.5 내지 4 시간 동안 수행되어 인산화하는 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 니켈인화물 나노구조체는 X선 회절법에 의해 측정한 결정 면간거리(d-spacing)가 0.1 내지 0.5 nm인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.

제13항에 있어서,상기 기판은 니켈 폼이고,상기 아연 전구체는 Zn(NO3)2이고,상기 수산화물은 수산화암모늄(NH4OH)이고,상기 산화아연 나노구조체를 성장시키는 단계는 90 내지 100 ℃에서 6 내지 8 시간 동안 열수 합성법에 의해 수행되고,상기 니켈 전구체는 NiCl2이고,상기 전이금속 전구체는 Mo2Cl10 또는 FeCl3이고,상기 전이금속이 도핑된 니켈산화물 나노구조체로 변환시키는 단계에서 1차 열처리는 590 내지 610 ℃에서 0.5 내지 1 시간 동안 양이온 교환(cation exchange)법에 의해 수행되고,상기 인 전구체는 차아인산나트륨(NaPO2H2・H2O)이고,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체를 제조하는 단계에서 2차 열처리는 430 내지 470 ℃에서 1 내지 2 시간 동안 수행되어 인산화하는 것이고,상기 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 전이금속 도핑량은 니켈인화물 나노구조체 100 중량%에 대하여 7 내지 16 중량%이고,상기 니켈인화물 나노구조체는 X선 회절법에 의해 측정한 결정 면간거리(d-spacing)가 0.21 내지 0.24 nm인 것인 전이금속이 도핑된 니켈인화물 나노구조체의 제조방법.