제1블록; 상기 제1블록과 대향되는 제2블록; 및 상기 제1블록 및 상기 제2블록 사이에 위치하는 심(Shim)부재를 포함하며,상기 제1블록 및 상기 제2블록은 서로 결합하여 활물질 슬러리를 토출하는 슬롯을 형성하고,상기 제1블록은 상기 활물질 슬러리를 수용하는 챔버를 포함하고 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제1면을 형성하고,상기 제2블록은 상기 제1면에 대향하여 상기 슬롯의 폭 방향과 토출 방향으로 제2면을 형성하며,상기 심부재는 상기 제1면과 상기 제2면의 양단에서 서로 마주하고 상기 슬롯의 높이 방향으로 형성된 단부를 포함하고,상기 단부는상기 심부재의 제1기준점으로부터 제2기준점까지 상기 폭 방향으로 제1조절폭(Lw)만큼 돌출되고, 상기 제2기준점으로부터 제3기준점까지 토출 방향에 대하여 제1각도(θ1)를 가지고 경사지며 상기 토출 방향으로 제1조절길이(Ls)만큼 형성되는 폭 조절부를 포함하며,상기 심부재는 상기 단부에 의해 상기 슬롯의 높이 방향과 상기 토출 방향의 가상 측면에 서로 마주하는 제3면과 제4면을 형성하고,상기 제3면과 상기 제4면은토출 방향 끝에서 간격으로 상기 슬롯의 폭을 설정하고, 상기 토출 방향의 너비가 상기 슬롯의 토출 방향의 길이를 설정하며,상기 토출 방향의 토출이 시작되는 위치에서부터 상기 길이를 따라 가면서 상기 제3면과 상기 제4면의 간격이 증대되었다가 다시 좁아지거나 더 증대되며,상기 토출 방향 끝에서 상기 간격은상기 토출 방향의 토출이 시작되는 위치에서의 간격보다 크게 설정되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 슬롯의 폭(W) 대비 상기 제1조절폭(Lw)의 폭비율(Lw/W)은0보다 크고 0.1 이하인(0 003c# Lw/W ≤ 0.1)이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제2항에 있어서,상기 슬롯의 폭(W) 대비 상기 제1조절폭(Lw)의 폭비율(Lw/W)은0.02 이상이고 0.06 이하인(0.02 ≤ Lw/W ≤ 0.06)이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 슬롯의 토출 방향의 길이(S) 대비 상기 제1조절길이(Ls)의 길이비율(Ls/S)은0보다 크고 0.5 이하인(0 003c# Ls/S ≤ 0.5)이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 제1각도(θ1)는0˚ 보다 크고 30˚ 이하인(0˚ 003c# θ1 ≤ 30˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 최소폭에서 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 증가시키는 폭증가부를 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제6항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭증가부에 상기 토출 방향으로 이어지고 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 감소시키는 폭감소부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 심부재의 상기 제3기준점으로부터 제4기준점까지 상기 토출 방향에 대하여 상기 제1각도의 반대 방향으로 제2각도(θ2)를 가지고 경사지게 더 형성되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제8항에 있어서,상기 제2각도(θ2)는0˚ 보다 크고 15˚ 이하인(0˚ 003c# θ2 ≤ 15˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제7항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭감소부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향의 끝에서 라운드로 형성되어 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 다시 증가시키는 볼록 라운드부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제6항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 폭증가부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 점진적으로 추가 증가시키는 추가 폭증가부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 심부재의 상기 제3기준점으로부터 제5기준점까지 상기 토출 방향에 대하여 상기 제1각도의 방향으로 제3각도(θ3)를 가지고 경사지게 형성되는이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제12항에 있어서,상기 제3각도(θ3)는0˚ 보다 크고 25˚ 이하인(0˚ 003c# θ3 ≤ 25˚)이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제11항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 추가 폭증가부에 상기 토출 방향으로 더 이어지고 상기 토출 방향의 끝에서 라운드로 형성되어 상기 토출 방향에 대하여 상기 슬롯의 폭을 다시 감소시키는 오목 라운드부를 더 포함하는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 제1면과 상기 제2면에 수직으로 연결되도록 상기 높이 방향을 따라 직선으로 형성되는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.

제1항에 있어서,상기 폭 조절부는상기 제1면과 상기 제2면에 라운드로 연결되도록 상기 슬롯을 향하여 오목 라운드 또는 볼록 라운드로 형성되는 이차전지 전극 제조용 슬롯다이.