서로 이격되어 형성된 복수의 기공을 갖는 나노 메쉬 멤브레인의 제조 방법에 있어서,베이스 멤브레인을 준비하는 단계; 상기 베이스 멤브레인 상에, 기능성막을 형성하는 단계; 및상기 기능성막 형성된 상기 베이스 멤브레인에 이온빔을 조사하여, 상기 이온빔이 상기 기능성막 및 상기 베이스 멤브레인을 투과하고, 상기 이온빔이 상기 기능성막 및 상기 베이스 멤브레인을 투과하는 과정에서 생성된 복수의 상기 기공을 갖는 상기 나노 메쉬 멤브레인을 제조하는 단계를 포함하는 나노 메쉬 멤브레인의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 이온빔은, 상기 베이스 멤브레인의 상기 기능성막으로 조사되는 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 기능성막은 상기 베이스 멤브레인보다 높은 전기 전도성을 갖는 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 기능성막은 상기 베이스 멤브레인의 두께보다 얇은 두께를 갖는 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인의 제조 방법.

제1 항에 있어서, 상기 이온빔은 갈륨 이온, 아르곤 이온, 네온 이온, 헬륨 이온, 또는 수소 이온 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 나노 메쉬 멤브레인의 제조 방법.

베이스 멤브레인; 및상기 베이스 멤브레인 상에 배치되고, 상기 베이스 멤브레인보다 높은 전도성을 갖는 물질로 형성되는 기능성막을 포함하되, 서로 이격되어 배치된 복수의 기공이 상기 베이스 멤브레인 및 상기 기능성막을 관통하여 제공되고, 상기 기능성막은, 상기 베이스 멤브레인의 상부면 상에 제공되되, 복수의 상기 기공의 측벽 상에는 비 제공되는 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인.

제6항에 있어서, 복수의 상기 기공의 측벽을 이루는 상기 베이스 멤브레인의 일부분, 및 복수의 상기 기공의 측벽을 이루는 상기 기능성막의 일부분은 서로 공면(coplanar)을 이루는 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인.

제6 항에 있어서, 상기 베이스 멤브레인의 두께보다, 상기 기능성막의 두께가 얇은 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인.

제6 항에 있어서, 상기 베이스 멤브레인은 절연성 물질을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인.

제6 항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 상기 나노 메쉬 멤브레인을 준비하는 단계; 및상기 나노 메쉬 멤브레인 광을 조사하는 단계를 포함하되, 상기 나노 메쉬 멤브레인으로 조사된 광의 파장 대역에서, 목표 파장 대역의 광은 상기 나노 메쉬 멤브레인을 투과하고, 상기 목표 파장 대역과 다른 파장 대역의 광은 상기 나노 메쉬 멤브레인에 의해 차단되는 것을 포함하는 나노 메쉬 멤브레인의 이용 방법.

제6 항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 상기 나노 메쉬 멤브레인을 준비하는 단계; 상기 나노 메쉬 멤브레인 광을 조사하는 단계;상기 나노 메쉬 멤브레인을 투과한 광에 의해, 광 감응성 막이 반응하는 단계를 포함하는 패터닝 방법.

광을 생성하는 광원;상기 광원에서 생성된 광이 조사되는, 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 상기 나노 메쉬 멤브레인; 및상기 나노 메쉬 멤브레인을 투과한 광을 목표물로 가이드하는 광학계를 포함하는 광학 장치.

EUV 광을 생성하는 광원; 및상기 광원에서 생성된 EUV 광이 조사되는, 제6 항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 상기 나노 메쉬 멤브레인을 포함하는 EUV 리소그래피 장치.