| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 하기 화학식 1로 표시되는 모노알콕시실란, 하기 화학식 2로 표시되는 디알콕시실란, 하기 화학식 3으로 표시되는 트리알콕시실란을 동시에 가수분해하는 단계;상기 가수분해하는 단계에서 수득한 실리콘 레진의 중간체를 축합중합하는 단계; 및상기 축합중합하는 단계에서 수득한 반응물을 가열하는 단계;를 포함하고,상기 화학식 1로 표시되는 모노알콕시실란은 디메틸에톡시비닐실란이고,상기 화학식 2로 표시되는 디알콕시실란은 디메톡시(메틸)(3, 3, 3-트리플루오로프로필)실란이고,상기 화학식 3으로 표시되는 트리알콕시실란은 트리에톡시(3, 3, 3-트리플루오로프로필)실란)이고,상기 가수분해하는 단계는 상기 화학식1로 표시되는 모노알콕시실란, 상기 화학식 2로 표시되는 디알콕시실란, 및 상기 화학식3으로 표시되는 트리알콕시실란이 1:1:2 내지4의 몰 비(mol rate)의 범위 내에서 수행하고,상기 실리콘 레진의 분자량은 1,000 내지 2,000 g/mol 인 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법.(화학식 1) 상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 C1 |
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| 6 | 제1항에 있어서, 상기 가수분해하는 단계는 pH 2 내지 3의 산용액을 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 7 | 제1항에 있어서, 상기 가수분해하는 단계는 60 내지 100 ℃ 온도에서 4 내지 7 시간 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 8 | 제1항에 있어서, 상기 가수분해하는 단계는, 산용액을 세척하는 단계 및 수분을 제거하는 단계를 더 추가적으로 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 9 | 제1항에 있어서, 상기 축합중합하는 단계는 포화 염기 수용액을 0.05 내지 0.15 mL 첨가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 10 | 제1항에 있어서, 상기 축합중합하는 단계는 110 내지 130 ℃의 온도 범위에서 3 시간 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 11 | 제1항에 있어서, 상기 축합중합하는 단계는 염기 수용액 및 잔존 모노머를 제거하는 단계를 더 추가적으로 수행할 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 12 | 제1항에 있어서, 상기 가열하는 단계는 150 ℃ 이상 온도에서 1 내지 3 시간 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 13 | 제1항에 있어서, 상기 실리콘 레진의 분자량은 1,000 내지 2,000 g/mol 인 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 14 | 제1항에 있어서, 상기 실리콘 레진의 다분산지수(PDI)는 1 내지 1.5인 것을 특징으로 하는 실리콘 레진의 제조방법. |
| 15 | 제1항에 따른 제조방법을 통해 제조된 실리콘 레진. |
| 16 | 제15항의 실리콘 레진을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 레진 조성물. |
| 17 | 제16항의 실리콘 레진 조성물로 형성된 경화물. |
