본 발명은 전계방출 소자의 산화아연 나노선 처리 방법에 관한 것으로, 기판의 상측에 증착된 산화아연에 산화아연 나노선을 성장시키고, 산화아연 나노선에 자외선을 조사하여 처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출 소자의 산화아연 나노선 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 산화아연 나노선의 표면 흡착 산소계 화학종을 제거하기 위해 자외선을 조사하여 처리하는 공정을 포함하여 산화아연 나노선의 전계방출 특성 개선을 안정화시키는 전계방출 소자의 산화아연 나노선 처리 방법에 관한 것이다.