| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 지지 프레임워크(supporting framework)으로 흑연을 준비하는 제1단계;상기 흑연에 실리콘 코팅층을 형성하는 제2단계; 상기 실리콘 코팅층이 형성된 흑연을 열처리하여 실리콘 나노시트를 수득하는 제3단계; 및상기 실리콘 나노시트를 볼밀(ball mill)처리하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노시트 제조방법 |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 제2단계에서, 상기 실리콘 코팅층은 실란 가스를 사용한 화학적 기상 증착(Chemical Vapour Deposition, CVD) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노시트 제조방법 |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 제2단계에서, 상기 흑연에 형성된 실리콘 코팅층의 두께는 5 nm 내지 4,000 nm 인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노시트 제조방법 |
| 4 | 제1항에 있어서,상기 제3단계에서, 상기 열처리는 700 내지 900 ℃에서 2 내지 8 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노시트 제조방법 |
| 5 | 제 1항에 있어서,상기 제4단계에서, 상기 실리콘 나노시트를 3 내지 7mm 크기의 볼을 사용하며 1 내지 5분 동안 볼밀(ball mill) 처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노시트 제조방법 |
| 6 | 제1항의 제조방법에 따라 제조된 실리콘 나노시트 |
| 7 | 제6항에 따른 실리콘 나노시트를 음극재로 포함하는 것을 특징으로 하는 전고체 배터리 |