| 번호 | 청구항 |
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| 5 | 제 1항에 있어서,상기 LTO-실리콘-흑연 복합체는, 상기 실리콘-흑연 복합체에 상기 LTO가 코팅된 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 제조방법 |
| 1 | 흑연에 실란가스를 흘려 실리콘층이 형성된 실리콘-흑연 복합체를 제조하는 제 1단계;상기 실리콘-흑연 복합체에 리튬 전구체 및 티타늄 전구체를 첨가하는 제 2단계; 및상기 리튬 전구체 및 티타늄 전구체를 첨가한 실리콘-흑연 복합체를 건조시킨 후 열처리를 진행하여 LTO(Lithium Titanate Oxide)-실리콘-흑연 복합체를 제조하는 제 3단계를 포함하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 제조방법 |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 제 1단계에서, 상기 실리콘-흑연 복합체는 화학적 기상 증착(Chemical Vapour Deposition, CVD) 공정을 통해 합성되는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 제조방법 |
| 3 | 제 1항에 있어서,상기 제 2단계에서, 상기 실리콘-흑연 복합체 100 중량부에 대하여, 상기 리튬 전구체를 5 내지 10 중량부 및 상기 티타늄 전구체를 10 내지 20 중량부 첨가하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 제조방법 |
| 4 | 제 1항에 있어서,상기 제 3단계에서, 상기 열처리 온도는 550 ℃ 내지 650 ℃ 인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 제조방법 |
| 6 | 제 1항에 있어서,상기 LTO-실리콘-흑연 복합체 100 중량부에 대하여 상기 LTO가 6 내지 15 중량부 포함되는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 |
| 7 | 실리콘-흑연 복합체; 및상기 실리콘-흑연 복합체에 형성된 LTO 코팅층을 포함하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 |
| 8 | 제 7항에 있어서, 상기 LTO 코팅층을 포함하는 실리콘-흑연 복합체의 평균 입자 크기는 5 ㎛ 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 |
| 9 | 제 7항에 있어서, 상기 LTO 코팅층의 두께는 1 ㎚ 내지 100 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 |
| 10 | 제 7항에 있어서, 상기 LTO 코팅층을 포함하는 실리콘-흑연 복합체 전체 100 중량부에 대하여 상기 LTO 코팅층을 6 내지 15 중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이온 전지용 음극 조성물 |
| 11 | 상기 제1 항에 따라 제조된 음극 조성물을 포함하는 리튬 이온 전지 |
