| 번호 | 청구항 |
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| 10 | 제 9 항에 있어서, 상기 상전이 물질은 이산화바나듐(VO2)인 것인 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 11 | 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나의 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동공진기를 이용하는 테라헤르츠파 대역 센서. |
| 1 | 기판; 상기 기판 상부에 형성되는 상전이 물질로 이루어진 박막; 상기 상전이 물질로 이루어진 박막 위에 형성되어 테라헤르츠파에 반응하여 공진하는 메타물질 패턴; 상기 메타물질 패턴으로부터 일정 거리로 이격된 외각에 형성되어, 메타물질에 직접적으로 전류를 흘려줌으로써 상기 상전이 물질 및 상기 메타물질의 특성변화를 야기하는 외곽 사각고리; 를 포함하는, 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 2 | 제 1 항에 있어서, 상기 외곽 사각고리는 5 내지 15 nm 두께의 크롬 접착층 및 80 내지 120 nm 두께의 금으로 형성된 금속선인 것인 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 3 | 제 2 항에 있어서, 상기 외곽 사각고리를 형성하는 금속선은 2 내지 6 ㎛ 두께로 형성되는 것인 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 4 | 제 1 항에 있어서, 상기 외곽 사각고리는 전압 인가용 도선과 연결되는 것인 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 5 | 제 1 항 있어서, 상기 메타물질 패턴의 형태는 정사각, 직사각, 원형, 타원, 또는 삼각형 형태인 것인 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 6 | 제 1 항에 있어서, 상기 외곽 사각고리의 형태는 메타물질 패턴의 형태에 따라 정사각, 직사각, 원형, 타원, 또는 삼각형으로 변형하여 추가되는 것인외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 7 | 제 1 항에 있어서, 상기 상전이 물질은 온도에 따라서 전도율이 변화하는 물질인 것인외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 8 | 제 1 항에 있어서, 상기 상전이 물질은 온도에 따라서 유전율이 변화하는 물질인 것인외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
| 9 | 제 1 항에 있어서, 상기 상전이 물질은 특정 온도에서 금속에서 절연체로 상전이하는 물질인 것인 외곽 사각고리 추가형 테라헤르츠 능동 공진기. |
