기판; 상기 기판 상부에 형성되는 상전이 물질로 이루어진 박막; 테라헤르츠파에 반응하여 공진하고, 상전이 물질로 이루어진 박막 위에, 폐루프 형태로 형성되는 메타물질 구조인 제1 패턴; 및상기 제 1 패턴의 상호 마주보는 두변의 중심에서 상기 제 1 패턴의 외측으로 연장되어 형성되어, 메타물질에 직접적으로 전류를 흘러줌으로써 상기 상전이 물질 및 상기 메타물질의 특성변화를 야기하는, 전압 인가용 도선을 포함하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 테라헤르츠파에 반응하여 공진하고, 상기 전압 인가용 도선을 중심으로 대칭되도록, 상기 제1 패턴의 외각을 따라, 상기 제 1 패턴과 일정 간격을 두고, 상기 상전이 물질로 이루어진 박막 위에 형성되는 메타물질 구조인 제2 패턴을 더 포함하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은,상기 전압 인가용 도선과는 연결되지 않는 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 패턴은,상기 전압 인가용 도선과 연결되는 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항 있어서, 제 1 패턴의 폐루프 형태가 정사각, 직사각, 원형, 타원, 또는 삼각형 폐루프 형태인 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 폐루프 공진기 형태이고, 전압인가형 도선과 연결되고, 다중 공진 형태를 만들 수 있는 상기 제 1 패턴의 내부 또는 외부에 형성되는 제 n 패턴(n 은 3 이상)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 상전이 물질은, 온도에 따라서 전도율이 변화하는 물질인, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 상전이 물질은, 온도에 따라서 유전율이 변화하는 물질인, 테라헤르츠파 변조기.

제 3 항에 있어서, 상기 상전이 물질은, 특정 온도에서 금속에서 절연체로 상전이하는 물질인, 테라헤르츠파 변조기.

제 8 항에 있어서, 상기 상전이 물질은,이산화바나듐(VO2)인 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴 또는 상기 제 2 패턴으로 입사하는 테라헤르츠파의 전계 방향은, 상기 전압 인가용 도선과 수직한 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 패턴 또는 상기 제 2 패턴으로 입사하는 테라헤르츠파의 전계 방향은, 상기 전압 인가용 도선과 평행한 것을 특징으로 하는, 테라헤르츠파 변조기.

제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 하나의 테라헤르츠파 변조기를 이용하는 테라헤르츠파 대역 센서.