| 번호 | 청구항 |
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| 1 | a) 리간드가 부착된 양자점 및 고분자를 유기용매에 용해시키는 단계: 및b) 상기 양자점 및 상기 고분자가 용해된 용액을 기판 상부에 코팅시키는 단계;를 포함하며,상기 b)단계의 코팅은 스핀코팅이고, 코팅과정에서 기판 상부에 상분리가 일어나며, 상기 고분자가 네트워크를 형성하는 것을 특징으로 하는 다층박막 형성방법. |
| 2 | 제1항에 있어서,상기 고분자는 전도성 고분자로서 정공수송층으로 작용하는 것을 특징으로 하는 다층박막 형성방법. |
| 3 | 제1항에 있어서,상기 양자점은 페로브스카이트 양자점을 포함하는 다층박막 형성방법. |
| 4 | 삭제 |
| 5 | 삭제 |
| 6 | 제1항에 있어서,상기 양자점이 상기 고분자 네트워크에 의해 걸러지며 상분리가 일어나는 것을 특징으로 하는 다층박막 형성방법. |
| 7 | 제1항에 있어서,상기 b)단계 이후,c) 상기 코팅과정에서 코팅층이 형성된 기판을 선택적 용매를 이용하여, 상기 상분리된 코팅층 상부의 양자점을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층박막 형성방법. |
| 8 | 제7항에 있어서,상기 c)단계는 상기 코팅층에서 형성된 고분자 네트워크를 통과하지 못한 양자점을 선택적 용매로 용해시켜, 상기 상분리된 코팅층 상부의 양자점을 제거하는 단계;인 것을 특징으로 하는 다층박막 형성방법. |
| 9 | 제7항에 있어서,상기 양자점은 페로브스카이트 양자점이고,상기 선택적 용매는 옥탄인 것을 특징으로 하는 다층박막 형성방법. |
| 10 | 제1항 내지 제3항 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 방법을 이용하여 제조된 디스플레이 소자. |