기판 상에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계;상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 성장되도록 소결시키는 단계; 및상기 기판의 표면에 광파장 이하의 주기를 갖는 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 기판을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

기판 상에 버퍼층을 증착하는 단계;상기 버퍼층 상에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계;상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 성장되도록 소결시키는 단계;상기 버퍼층이 나노구조 버퍼층이 되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 화학적 식각을 수행하는 단계; 및상기 기판 상에 광파장 이하의 주기를 갖는 나노구조가 형성되도록 상기 나노구조 버퍼층 및 금속입자를 이용하여 상기 기판을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 금속이온으로는 유기물 또는 무기물 이온과 결합되어 용액 상태로 존재하고, 열처리를 통해 결합을 끊고 금속끼리 결합하여 광파장 이하의 주기를 갖는 금속입자로 성장하도록 소결 가능한 것인 특징으로 하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 도포된 용액의 열처리는 상기 금속입자의 산화를 방지하고, 상기 금속입자의 크기 및 두께에 대한 재연성과 높은 신뢰성을 위해 질소 분위기에서 실시되는 것을 특징으로 하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 도포된 용액은 1nm 내지 500nm 정도의 두께를 갖도록 상기 금속이온이 유기물 이온과 결합된 경우, 메탄올, 에탄올 또는 이소프로필 알코올 중 어느 하나의 알코올 계열 용액과 희석을 통해 금속의 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 열처리의 시간과 온도를 조절하여 상기 금속입자의 크기를 제어하는 것을 특징으로 하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 기판이 실리콘 기판이며, 상기 화학적 식각 공정을 통해 실리콘 기판을 식각하는 경우, 물(H2O), 질산(HNO3), 플루오르화 수소(HF)의 혼합 비율을 달리하여 식각하는 것을 특징으로 하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

제7 항에 있어서,상기 화학적 식각 공정에서 사용되는 용액의 혼합 비율 및 식각 방법은, 물(H2O), 질산(HNO3), 플루오르화 수소(HF)의 혼합 비율을 20:1:4 또는 20:4:1로 조절하여 이용하거나, 20:1:4 혼합비의 용액을 이용하여 1차 식각을 진행하고, 20:4:1 혼합비의 용액을 이용하여 2차 식각하는 것을 특징으로 하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,상기 광소자가 발광소자일 경우, (a) n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계와; (b) 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 소결시키는 단계와; (c) 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 p형 도핑층의 발광부 상면을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

제9 항에 있어서,상기 광소자가 발광소자일 경우, 상기 단계(a)에서 용액을 도포하기 전 또는 상기 단계(c) 이후에, 상기 p형 도핑층의 발광부를 제외한 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

제9 항에 있어서,상기 광소자가 발광소자일 경우, 상기 단계(c) 이후에, 상기 무반사 나노구조를 포함한 p형 도핑층의 전면에 투명전극을 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 발광부를 제외한 상기 투명전극의 상면에 접촉패드를 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,상기 광소자가 발광소자일 경우, n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 버퍼층을 적층하는 단계와; 상기 버퍼층의 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계와; 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 소결시키는 단계와; 상기 버퍼층이 나노구조 버퍼층이 되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 화학적 식각을 수행하는 단계와; 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 나노구조 버퍼층 및 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 p형 도핑층의 발광부의 상면을 화학적으로 식각하는 단계와; 상기 p형 도핑층의 발광부를 제외한 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,(a") 하부 전지층, 중간 전지층 및 상부 전지층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 상부전극 영역을 제외한 상부 전지층의 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계;(b") 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 변형시키는 단계; 및(c") 상기 p형 상부전극 영역을 제외한 상부 전지층의 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 p형 상부전극 영역을 제외한 상부 전지층의 상면을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

제13 항에 있어서,상기 단계(a")에서 용액을 도포하기 전 또는 상기 단계(c") 이후에, 상기 상부 전지층의 일측 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 하부 전지층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,기판의 상면과 하면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계;상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 변형시키는 단계; 및상기 기판의 상면과 하면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 기판의 상면과 하면을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

제15 항에 있어서,상기 기판은 투명 글래스이거나, 양면이 연마된 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN) 또는 사파이어(Sapphire) 중 어느 하나의 기판인 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

기판 상에 투명전극을 증착하는 단계;상기 투명전극 상에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계;상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 성장되도록 소결시키는 단계;상기 투명전극이 나노구조 투명전극이 되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 화학적 식각을 수행하는 단계; 및상기 기판 상에 광파장 이하의 주기를 갖는 나노구조가 형성되도록 상기 나노구조 투명전극 및 금속입자를 이용하여 상기 기판을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 무반사를 위한 나노구조의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,상기 광소자가 수광소자일 경우, (a'') p형 도핑층 및 n형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 n형 도핑층의 수광부 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계와; (b'') 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 소결시키는 단계와; (c'') 상기 n형 도핑층의 수광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 n형 도핑층의 수광부 상면을 화학적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

제18 항에 있어서,상기 광소자가 수광소자일 경우, 상기 단계(a'')에서 용액을 도포하기 전 또는 상기 단계(c'') 이후에, 상기 n형 도핑층의 수광부를 제외한 상면에 n형 상부전극을 적층하고, 상기 p형 도핑층의 하면에 p형 하부전극을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

제18 항에 있어서,상기 광소자가 수광소자일 경우, 상기 단계(c'') 이후에, 상기 무반사 나노구조를 포함한 n형 도핑층의 전면에 투명전극을 적층한 후, 상기 n형 도핑층의 수광부를 제외한 상기 투명전극의 상면에 접촉패드를 적층하고, 상기 p형 도핑층의 하면에 p형 하부전극을 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,상기 광소자가 발광소자일 경우, n형 도핑층, 활성층 및 p형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 투명전극을 적층하는 단계와; 상기 투명전극의 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계와; 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 소결시키는 단계와; 상기 투명전극이 나노구조 투명전극이 되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 화학적 식각을 수행하는 단계와; 상기 p형 도핑층의 발광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 나노구조 투명전극 및 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 p형 도핑층의 발광부의 상면을 화학적으로 식각하는 단계와; 상기 p형 도핑층의 발광부를 제외한 상면에 p형 상부전극을 적층하고, 상기 n형 도핑층의 하면에 n형 하부전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,상기 광소자가 수광소자일 경우, p형 도핑층, 활성층 및 n형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 n형 도핑층의 수광부 상면에 버퍼층을 적층하는 단계와; 상기 버퍼층의 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계와; 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 소결시키는 단계와; 상기 버퍼층이 나노구조 버퍼층이 되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 화학적 식각을 수행하는 단계와; 상기 n형 도핑층의 수광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 나노구조 버퍼층 및 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 n형 도핑층의 수광부의 상면을 화학적으로 식각하는 단계와; 상기 n형 도핑층의 수광부를 제외한 상면에 n형 상부전극을 적층하고, 상기 p형 도핑층의 하면에 p형 하부전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.

광소자의 제조방법에 있어서,상기 광소자가 수광소자일 경우, p형 도핑층, 활성층 및 n형 도핑층을 순차적으로 적층한 후, 상기 n형 도핑층의 수광부 상면에 투명전극을 적층하는 단계와; 상기 투명전극의 상면에 금속이온이 유기물 또는 무기물 이온과 결합된 용액을 도포하는 단계와; 상기 도포된 용액을 열처리하여 나노크기의 금속입자로 소결시키는 단계와; 상기 투명전극이 나노구조 투명전극이 되도록 상기 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 화학적 식각을 수행하는 단계와; 상기 n형 도핑층의 수광부 상면에 광파장 이하의 주기를 갖는 위로 갈수록 가늘어지는 무반사 나노구조가 형성되도록 상기 나노구조 투명전극 및 금속입자를 반응의 촉진제로 이용하여 상기 n형 도핑층의 수광부의 상면을 화학적으로 식각하는 단계와; 상기 n형 도핑층의 수광부를 제외한 상면에 n형 상부전극을 적층하고, 상기 p형 도핑층의 하면에 p형 하부전극을 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 무반사 나노구조가 집적된 광소자의 제조방법.