육각형 모양의 외곽 형상을 가지는 제1 유전체 층;상기 제1 유전체 층 상부 표면에 형성되는 제1 전도성 패턴;상기 제1 유전체 층 하부에 위치하고 상기 제1 유전체 층과 동일한 외곽 형상을 가지는 제2 유전체 층;상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층 사이에 형성되는 제2 전도성 패턴; 및상기 제2 유전체 층 하부 표면에 형성되는 반사층;을 포함하되,상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴은, 육각형인 복수의 전도성 단위 픽셀이 배치되어 형성되고,상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층에 수직인 방향으로,상기 제1 전도성 패턴의 전도성 단위 픽셀과 상기 제2 전도성 패턴의 전도성 단위 픽셀이 겹치는 영역,상기 제1 전도성 패턴의 전도성 단위 픽셀과 상기 제2 전도성 패턴이 존재하지 않는 영역이 겹치는 영역,상기 제2 전도성 패턴의 전도성 단위 픽셀과 상기 제1 전도성 패턴이 존재하지 않는 영역이 겹치는 영역, 및상기 제1 전도성 패턴이 존재하지 않는 영역과 상기 제2 전도성 패턴이 존재하지 않는 영역이 겹치는 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

제1항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴의 면저항은 상기 제2 전도성 패턴의 면저항보다 큰 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

제1항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴은, 카본, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 은나노와이어(Silver nanowire)로 구성되는 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

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제1항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴 및 제2 전도성 패턴은, 상기 제1 유전체 층 및 제2 유전체 층의 중심 축에 대해 각각 축 대칭으로 배치되어 형성되는 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

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제1항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴은 상기 제1 유전체 층의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 제1 패턴, 제2 패턴 및 제3 패턴을 포함하고,상기 제2 전도성 패턴은 상기 제2 유전체 층의 중심으로부터 멀어지는 방향으로 제4 패턴, 제5 패턴 및 제6 패턴을 포함하되,상기 제1 패턴 및 제2 패턴과, 상기 제4 패턴 및 제5 패턴은 상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층의 수직 방향을 기준으로 겹치는 영역에 각각 형성되고,상기 제5 패턴과 상기 제6 패턴은 상기 제1 유전체 층과 상기 제2 유전체 층의 수직 방향을 기준으로 겹치지 않는 영역에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

제1항에 있어서,상기 제1 유전체 층 및 제2 유전체 층의 한 변의 길이는, 흡수되는 전자기파의 가장 낮은 주파수의 파장의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

제1항에 있어서,상기 제1 전도성 패턴 상부에 형성되는 보호층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

제1항에 있어서,상기 반사층은 금속으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.

제1항에 있어서,상기 제1 유전체 층 및 제2 유전체 층의 유전율과 진공 상태의 유전율의 차이는 진공 상태의 유전율 기준 10% 미만인 것을 특징으로 하는, 초광대역 전자기파 흡수체.