기판상에 희생층 및 채널층이 상호 교번하여 적층됨으로써, 상기 기판상에 적층 패턴이 형성되는 에피택시 성장단계;상기 적층 패턴을 사이에 두고 한 쌍의 소스/드래인 패턴이 형성되는 소스/드레인 형성단계;상기 희생층이 제거되는 희생층 제거단계; 및게이트 패턴이 상기 채널층의 외주면에 증착되는 게이트 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 채널층은,GaN을 포함하는 소재로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.

제2항에 있어서,상기 희생층은, InN, InGaN 및 InAlN을 포함하는 군에서 선택되는 적어도 한 종을 포함하는 소재로 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.

제3항에 있어서,상기 희생층 제거단계는,질산용액을 이용한 선택적 식각 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.

제1항에 있어서,상기 게이트 패턴은,상기 채널층의 둘레 방향을 따라서, 상기 채널층의 적어도 4면을 감싸도록 마련되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.