| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 실리카 샌드를 준비하는 단계;상기 실리카 샌드의 표면을 소수성으로 개질하여 소수성 실리카 샌드를 준비하는 단계; 및소수성으로 개질된 상기 소수성 실리카 샌드를 다공성 매질로 이용하여 가스 하이드레이트를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 가스 하이드레이트를 제조하는 단계는반응기를 준비하여 상기 반응기에 상기 소수성 실리카 샌드와 물을 투입하는 단계;상기 반응기를 밀폐하고, 상기 반응기 내부 온도를 소정 온도값으로 유지하면서 상기 반응기 내부를 반응가스로 치환하는 단계; 및상기 반응기 내부 온도를 상기 온도값으로 소정 시간동안 유지하여 상기 가스 하이드레이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것이며,상기 소수성 실리카 샌드와 물을 투입하는 단계는상기 반응기 내부에 상기 소수성 실리카 샌드와 물이 각각의 층을 형성하도록 교대로 투입하는 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
| 2 | 제 1항에 있어서,상기 소수성 실리카 샌드의 수접촉각은 75 내지 115°인 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
| 3 | 제 1항에 있어서,상기 실리카 샌드를 준비하는 단계에서 준비되는 실리카 샌드는 직경이 62.5 내지 2000㎛인 입자로 구성되는 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
| 4 | 제 1항에 있어서, 상기 소수성 실리카 샌드를 준비하는 단계는,분자 구조 내에 알콕시기와 알킬기를 포함하는 커플링제를 이용하여 상시 실리카 샌드의 표면을 개질하는 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
| 5 | 제 4항에 있어서, 상기 커플링제는 메틸트리메톡시실란, 옥타데실트리메톡시실란 및 헥사데실트리메톡시실란 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
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| 7 | 삭제 |
| 8 | 제 1항에 있어서, 상기 소수성 실리카 샌드와 물을 투입하는 단계는상기 실리카 샌드 공극 부피의 0 초과 75% 이하에 대응되는 부피만큼 상기 물을 투입하는 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
| 9 | 제 1항에 있어서, 상기 치환하는 단계에 있어서,상기 반응가스는 메테인, 이산화탄소, 산소, 에탄, 프로판, 질소 및 수소 중 적어도 하나인 것인 표면 개질 실리카 샌드를 이용한 가스 하이드레이트의 제조방법. |
