실리카 입자를 준비하는 단계;소수성 실란 커플링제를 이용하여 상기 실리카 입자의 표면을 개질하는 단계;비유전율이 28.61 내지 47.99인 분산용매 100 중량부에 상기 실리카 입자 0.5 초과 2 미만 중량부를 분산시켜 조성물을 제조하는 단계;기판을 준비하는 단계; 및상기 기판상에 온도가 25 ℃ 이상 40 ℃ 이하인 상기 조성물을 도포하여 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과 상기 평활층상에 형성되고 상기 제1 표면거칠기보다 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함하는 코팅층을 제조하는 단계;를 포함하는 것인 소수성 코팅층의 제조방법.

제 1항에 있어서, 상기 코팅층을 제조하는 단계는산술 평균 조도가 0.1 내지 1 ㎛이고, 접촉각이 120 내지 180°인 상기 코팅층을 제조하는 단계;인 것인 소수성 코팅층의 제조방법.

제 1항에 있어서, 상기 코팅층을 제조하는 단계는상기 기판을 준비하는 단계;상기 기판상에 제1 거칠기를 갖는 제1 브러쉬를 이용해 상기 조성물을 도포하여 상기 요철층보다 상대적으로 낮은 산술 평균 조도를 갖는 상기 평활층을 형성하는 단계; 및상기 평활층상에 상기 제1 거칠기보다 상대적으로 큰 제2 거칠기를 갖는 제2 브러쉬를 이용해 상기 조성물을 도포하여 상기 평활층보다 상대적으로 큰 산술 평균 조도를 갖는 상기 요철층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 소수성 코팅층의 제조방법.

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제 1항에 있어서, 상기 실리카 입자를 준비하는 단계는입자직경이 1 내지 400 nm인 상기 실리카 입자를 준비하는 단계인 것인 소수성 코팅층의 제조방법.

제 1항에 있어서, 상기 표면을 개질하는 단계는3-아미노프로필트리에톡시실란, 헥사데실트리메톡시실란 및 3-트리메톡시실릴프로필메타크릴레이트 중에 선택되는 적어도 하나를 포함하는 상기 실란 커플링제를 이용하여 상기 실리카 입자를 표면개질하는 단계인 것인 소수성 코팅층의 제조방법.

소수성 실란 커플링제를 이용하여 표면이 개질된 실리카 입자 0.5 초과 2 미만 중량부를 비유전율이 28.61 내지 47.99인 분산용매 100 중량부에 분산시켜 제조되어 온도가 25 ℃ 이상 40 ℃ 이하인 조성물을 소정 기판상에 도포하여 형성되는 것이고,상기 기판상에 형성되고 제1 표면거칠기를 갖는 평활층과, 상기 평활층상에 형성되고 상기 제1 표면거칠기보다 상대적으로 큰 제2 표면거칠기를 갖는 요철층을 포함하는 것인 소수성 코팅층.

제 8항에 있어서,산술 평균 조도가 0.1 내지 1 ㎛이고, 접촉각이 120 내지 180°인 것인 소수성 코팅층.