제 2 항에 있어서,상기 채널형성층의 일측에 연결되어 전류의 흐름을 유도하는 유도전극;상기 채널형성층에 형성된 상기 전자채널과 접촉하도록 형성된 제1전극; 및상기 채널형성층에 형성된 상기 양공채널과 접촉하도록 형성된 제2전극을 더 포함하고,상기 제1전극 및 전자채널은 서로 전자를 소통할 수 있고, 상기 제2전극 및 양공채널은 서로 양공을 소통할 수 있는, 단일 물질 전자 소자.

제 1 항에 있어서,상기 2차원 물질층은 전이금속 칼코겐 화합물, 흑린, h-BN, 실리신, 텔루린 또는 포스포린 중 어느 하나인 물질 또는 상기 물질의 적층 구조로 이루어지는, 단일 물질 전자소자.

2차원 물질층을 포함하는 단일 물질 전자 소자에 있어서,상기 2차원 물질층에 전계를 가하는 제1게이트;상기 제1게이트 상에 위치하는 제1절연층;상기 제1절연층 상에 위치하여 상기 2차원 물질층을 가지는 채널형성층;상기 채널형성층 상에 위치하는 제2절연층; 및상기 제2절연층 상에 위치하여 상기 2차원 물질층에 전계를 가하는 제2게이트;를 포함하고,상기 채널형성층은 상기 제1게이트 및 상기 제2게이트에 의해 형성되는 전계에 의해 두 개의 채널층 및 공핍층을 형성하며,상기 2차원 물질층은 단일 물질로 이루어지고, 상기 채널형성층은 접합을 이루지 않는, 단일 물질 전자 소자.

제 1 항에 있어서,상기 제1게이트에 양 전압을 가하는 경우, 상기 채널형성층의 하부에 전자층이 발생하여 전자채널을 형성하고,상기 제2게이트에 음 전압을 가하는 경우, 상기 채널형성층의 상부에 양공층이 발생하여 양공채널을 형성하며,상기 채널형성층은 상기 전자채널 및 상기 양공채널을 동시에 형성할 수 있고, 상기 공핍층은 상기 전자채널 및 상기 양공채널 사이에 위치하는, 단일 물질 전자 소자.

제 1 항에 있어서,상기 채널형성층의 일측에 연결되어 전류의 흐름을 유도하는 유도전극을 더 포함하고,상기 유도전극과 양공채널은 서로 양공을 소통할 수 있고, 상기 유도전극과 전자채널은 서로 전자를 소통할 수 있는, 단일 물질 전자 소자.

제 3 항에 있어서,상기 유도전극은 전하가 이동할 수 있는 이동부 및 전하가 이동할 수 없는 금지부를 포함하고,상기 이동부는 상기 채널형성층에 형성된 상기 두 개의 채널층에 전기적으로 연결되도록 형성되고, 상기 금지부는 상기 채널형성층에 형성된 상기 공핍층을 상기 이동부와 접촉하지 않도록 상기 공핍층과 상기 이동부 사이에 형성되며, 상기 금지부는 절삭되어 빈 공간을 형성하거나 절연 물질로 이루어지는, 단일 물질 전자 소자.

제 6 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은,S, Se 또는 Te 중 하나의 물질과 Mo, W, Sn, Cu, Ni, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Zr, Nb, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg 또는 Cn 중 하나의 물질의 조합으로 이루어지는, 단일 물질 전자 소자.

제 1 항에 있어서,상기 2차원 물질층은 적어도 하나 이상의 2차원 물질의 적층 구조로 이루어지고,상기 2차원 물질은 0.3eV 내지 1eV의 밴드갭을 가지는, 단일 물질 전자 소자.

제 1 항에 있어서,상기 제1게이트 및 제2게이트 중 적어도 어느 하나는 반도체 물질, 금속, 전도성 고분자, 탄소물질 또는 이들의 조합으로 이루어진, 단일 물질 전자 소자.

제 1 항에 있어서,상기 제1절연층 및 제2절연층 중 적어도 어느 하나는 h-BN, 금속 산화물, 반도체 산화물 또는 이들의 조합으로 이루어진, 단일 물질 전자 소자