게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 배치된 절연층;상기 게이트 전극이 위치하는 영역의 절연층 상에 배치된 n형 금속산화물층;상기 n형 금속산화물층을 덮도록 상기 절연층 상에 구비되는 유기발광층;Au인 소스 전극과, 상기 소스 전극과 접하며 전자를 유기발광층으로 주입시키기 위해 상기 유기발광층 외부면 일부와 접하도록 배치되는 MoOx인 p형 제1금속산화물층을 포함하는 전자공급층; 및Au인 드레인 전극과, 상기 드레인 전극과 접하며 정공을 상기 유기발광층으로 주입시키기 위해 상기 p형 제1금속산화물층과 이격하여 상기 유기발광층 외부면 일부와 접하도록 배치되는 MoOx인 p형 제2금속산화물층을 포함하는 정공공급층;을 구비하되,상기 p형 제1금속산화물층과 p형 제2금속산화물층은 동일 소재인 것을 특징으로 하는 발광 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 n형 금속산화물층의 소재는 ZnON인 것을 특징으로 하는 발광 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 유기발광층의 소재는 폴리(p-페닐렌 비닐렌)계 공중합체(poly(p-phenylene vinylene)-based copolymer)인 것을 특징으로 하는 발광 트랜지스터.

제1항에 있어서,상기 유기발광층의 LUMO 준위는 상기 n형 금속산화물 층의 LUMO 준위를 기준으로 -0.9 ~ +0.3 eV이고,상기 유기발광층의 HOMO 준위는 상기 p형 제2금속산화물 층의 HOMO 준위를 기준으로 -0.3 ~ +0.3 eV인 것을 특징으로 하는 발광 트랜지스터.

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제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극의 일함수(work function)는 상기 유기 발광층의 HOMO 준위를 기준으로 -0.2 내지 +0.2 eV인 것을 특징으로 하는 발광 트랜지스터.

게이트 전극 상에 배치되는 유기발광층과, Au인 소스전극 및 Au인 드레인 전극을 구비한 발광 트랜지스터로서,MoOx인 p형 금속산화물층인 정공주입층 및 전하주입층을 포함하고,전자 이동도를 향상시키는 n형 금속산화물층인 전자수송층을 구비하며,광루미네센스 스펙트럼의 총면적(APL)과 전기루미네센스 스펙트럼(AEL)의 총 면적이 중첩되는 영역의 면적의 비율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 발광 트랜지스터.

제1항 내지 제4항, 제9항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 발광 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 장치.