방사선을 이용한 질소 도핑 그라핀을 제조하는 방법
Method for manufacturing nitrogen doped graphene by radioactive ray irradiation
특허 요약
본 발명의 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법은 높은 에너지원 및 산소가 배제된 환경과 환원제를 필요로 하는 기존의 그라핀 도핑 방법과는 달리 수산화 라디칼 수용체(hydroxyl radical scavenger)가 소량 첨가되어 있는 그라파이트 산화물 수용액에 질소를 제공하는 전구체를 혼합하고 상온 및 대기 중에서 방사선을 조사함으로써 그라핀으로의 환원 및 질소 도핑을 동시에 할 수 있는 새로운 제조법을 제시하였다.
청구항
번호청구항
1

(1) 그라파이트 산화물 수용액에 수산화 라디칼 수용체를 첨가하여 그라파이트 산화물 수용액을 제조하는 단계;(2) 상기 단계 (1)의 혼합 용액에 질소 전구체를 혼합하는 단계;(3) 상기 단계 (2)의 혼합 용액에 방사선을 조사하는 단계를 포함하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

2

제 1항에 있어서, 상기 단계 (1)의 그라파이트 산화물 수용액은 그라파이트에 산화제를 1:6 (무게비)로 첨가하는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

3

제 1항에 있어서, 상기 수산화 라디칼 수용체는 알코올, 우레아(Urea), 다이메틸설폭시화물, 에이아이비엔(azobisisobutyronitrile, AIBN) 또는 아조 염료인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

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제 3항에 있어서, 상기 알코올은 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 2-메틸-프로판올 및 2-메틸-2-프로판올으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

5

제 4항에 있어서, 상기 우레아는 다이메틸우레아, 테트라메틸우레아 및 사이오메틸우레아로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

6

제3항에 있어서, 상기 아조 염료는 아조벤젠, 메틸오렌지, 파라메틸레드 및 오소메틸레드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

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제 1항에 있어서, 상기 질소 전구체는 우레아 또는 암모니아수(NH4OH)인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

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제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)의 방사선 조사는 대기압 공기 중 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

9

제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)의 방사선은 전자빔 또는 감마선인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

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제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)의 방사선의 조사량은 30 kGy 내지 400 kGy인 것을 특징으로 하는 질소가 도핑된 그라핀을 제조하는 방법.

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