포토레지스트 층을 준비하는 것;상기 포토레지스트 층에 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 다공성 패턴을 형성하여 3차원 다공성 포토레지스트를 수득하는 것;상기 3차원 다공성 포토레지스트의 표면에 ZnO를 코팅하는 것; 및상기 ZnO가 코팅된 포토레지스트를 탄화하여 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체를 수득하는 것을 포함하며,상기 ZnO는 탄화 과정에서 탄소열 환원에 의해 제거되는 것인,멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법으로서,상기 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체는 3차원적으로 연결된 매크로기공 및 메조기공을 포함하며,상기 매크로기공은 상기 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 골격 사이에 포함되는 것이고, 상기 메조기공은 상기 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 골격 내에 포함되는 것인,멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 ZnO는 5 nm 내지 50 nm 미만의 두께로 코팅되는 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 ZnO은 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)으로 코팅되는 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 탄화는 500℃ 내지 1,500℃의 온도에서 수행되는 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 탄화는 불활성 기체 분위기에서 수행되는 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 패턴을 형성하는 것은 상기 포토레지스트 층에 복수의 간섭성 평행광을 이용하여 3차원 광간섭 패턴을 조사하는 것을 포함하며, 상기 3차원 광간섭 패턴은, 3 이상 5 이하의 간섭성 평행광을 중첩 조사하여 형성되는 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 6 항에 있어서,상기 3차원 광간섭 패턴이 조사된 포토레지스트를 열처리 및 세척하여 상기 포토레지스트를 현상하는 것을 추가 포함하는, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법.

제 1 항에 따른 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 제조 방법으로 제조되며,3차원적으로 연결된 매크로기공 및 메조기공을 포함하며,상기 매크로기공은 상기 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 골격 사이에 포함되는 것이고, 상기 메조기공은 상기 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체의 골격 내에 포함되는 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체.

제 8 항에 있어서, 상기 매크로기공의 크기는 500 nm × 500 nm 내지 750 nm × 750 nm인 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체.

제 8 항에 있어서,상기 메조기공의 직경은 3 nm 내지 5 nm인 것; 또는 10 nm 이상인 것인, 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체.

제 8 항에 따른 멀티스케일 3차원 다공성 탄소 구조체를 포함하는,에너지 저장 장치.

제 11 항에 있어서,상기 에너지 저장 장치는 배터리, 커패시터 또는 배터리-커패시터 하이브리드인 것인, 에너지 저장 장치.

제 11 항에 있어서, 상기 에너지 저장 장치는 마이크로슈퍼커패시터 또는 리튬 산소 전지인 것인, 에너지 저장 장치.