| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 10 | 제7항에서,상기 발광층과 상기 전자 주입층 사이에 위치하는 정공 저지층을 더 포함하는 유기 발광 소자. |
| 11 | 제10항에서,상기 정공 저지층은 상기 화학식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자. |
| 12 | 제11항에서,상기 정공 저지층은 유기 금속 착제, 유기 이온 염, 금속 이온, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 유기 발광 소자. |
| 13 | 제5항에서,상기 발광층은 상기 화학식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자. |
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| 17 | 제5항에서,상기 전자 수송층은 유기 금속 착제, 유기 이온 염, 금속 이온, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 유기 발광 소자. |
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| 4 | 하기 화학식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 유기 화합물. [화학식 (2)] [화학식 (3)] |
| 5 | 기판 위에 위치하는 있는 애노드(anode),상기 애노드 위에 위치하는 있는 정공 수송층,상기 정공 수송층 위에 위치하는 있는 발광층,상기 발광층 위에 위치하며, 하기 화학식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 전자 수송층, 그리고상기 전자 수송층 위에 위치하는 캐소드(cathode)를 포함하는 유기 발광 소자: [화학식 (2)] [화학식 (3)] |
| 6 | 제5항에서,상기 애노드와 상기 정공 수송층 사이에 위치하는 정공 주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자. |
| 7 | 제6항에서,상기 전자 수송층과 상기 캐소드 사이에 위치하는 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광 소자. |
| 8 | 제7항에서,상기 전자 주입층은 상기 화학식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 소자. |
| 9 | 제8항에서,상기 전자 주입층은 유기 금속 착제, 유기 이온 염, 금속 이온, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 유기 발광 소자. |
| 18 | 서로 교차하는 제1 신호선 및 제2 신호선,상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터,상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 구동 박막 트랜지스터, 상기 제1 신호선, 제2 신호선, 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 덮고 있는 유기막,상기 유기막 위에 위치하며 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극,상기 유기막 위에 위치하며 상기 화소 전극을 둘러싸는 격벽,상기 화소 전극 위에 위치하고, 하기 화학식 (2) 또는 (3)으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 발광 부재, 그리고상기 발광 부재 위에 위치하는 공통 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치: [화학식 (2)] [화학식 (3)] |
| 19 | 제18항에서,상기 발광 부재는 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치. |
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