| 번호 | 청구항 |
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| 3 | 제1전극, 정공주입층, 발광층, 전자수송층; 및 제2전극을 포함하며,상기 정공주입층은 Br-2PACz((2-(3,6-디브로모-9H-카르바졸-9-일)에틸)포스폰산)로 기능화된 산화니켈을 포함하고,상기 정공주입층은 산화니켈 나노입자를 무수 에탄올에 분산시켜 상기 제1전극 상에 2000 내지 4000 rpm으로 40 내지 80초 동안 스핀 코팅 후 130 내지 170 ℃에서 20 내지 40 분 동안 어닐링하여 산화니켈 코팅막을 형성 후, 상기 산화니켈 코팅막 상에 Br-2PACz을 무수 에탄올에 용해하여 2000 내지 4000 rpm으로 20 내지 40 초 동안 스핀 코팅 후 어닐링하여 형성되고,상기 발광층은 양자점을 100 내지 3000 rpm에서 10 내지 30초간 스핀 코팅 후 60 내지 100 ℃에서 10 내지 30 분 동안 어닐링하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자. |
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| 5 | 제3항에 있어서,상기 정공주입층의 두께는 10 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자. |
| 6 | 제1전극을 준비하는 단계;상기 제1전극 상에 산화니켈을 코팅 후 산화니켈 코팅막 상에 Br-2PACz((2-(3,6-디브로모-9H-카르바졸-9-일)에틸)포스폰산)를 코팅하여 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 위에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1전극 상에 산화니켈을 코팅 후 산화니켈 코팅막 상에 Br-2PACz((2-(3,6-디브로모-9H-카르바졸-9-일)에틸)포스폰산)를 코팅하여 정공주입층을 형성하는 단계는,산화니켈 나노입자를 무수 에탄올에 분산시켜 상기 제1전극 상에 2000 내지 4000 rpm으로 40 내지 80초 동안 스핀 코팅 후 130 내지 170 ℃에서 20 내지 40 분 동안 어닐링하여 산화니켈 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 산화니켈 코팅막 상에 Br-2PACz((2-(3,6-디브로모-9H-카르바졸-9-일)에틸)포스폰산)을 무수 에탄올에 용해하여 2000 내지 4000 rpm으로 20 내지 40 초 동안 스핀 코팅 후 어닐링하는 단계를 포함하고,상기 정공주입층 상에 발광층을 형성하는 단계는,양자점을 100 내지 3000 rpm에서 10 내지 30초간 스핀 코팅 후 60 내지 100 ℃에서 10 내지 30 분 동안 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 발광소자 제조방법. |
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