| 번호 | 청구항 |
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| 3 | 질산니켈 및 질산마그네슘을 혼합하여 혼합액을 제조하는 단계;상기 혼합액에 수산화테트라메틸암모늄을 pH가 10이 될 때까지 첨가하고 교반하여 수산화니켈 마그네슘을 제조하는 단계;상기 수산화니켈 마그네슘을 세척하고 동결건조시키는 단계; 및상기 건조된 수산화니켈 마그네슘을 250 내지 300 ℃에서 1 내지 3시간 동안 열처리하여 마그네슘이 도핑된 산화니켈 나노입자를 제조하는 단계를 포함하고,상기 질산니켈과 상기 질산마그네슘의 합계 몰 함유량 100 몰%에 대하여 상기 질산마그네슘의 몰 함유량은 5 몰% 이상 20 몰% 이하인 것을 특징으로 하는 발광소자용 조성물 제조방법. |
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| 7 | 제1전극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 제2전극을 포함하고,상기 정공주입층은 마그네슘이 도핑된 산화니켈 나노입자를 포함하며,상기 마그네슘이 도핑된 산화니켈 나노입자는 제3항의 제조방법에 의해 제조되며, Ni1-xMgxO(여기서 x는 0.05 이상 0.2 이하임)인 것을 특징으로 하는 발광소자. |
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| 9 | 제7항에 있어서, 상기 정공주입층의 두께는 10 내지 80 nm인 것을 특징으로 하는 발광소자. |
| 10 | 제1전극을 준비하는 단계;상기 제1전극 상에 제3항의 제조방법에 의해 제조된 마그네슘이 도핑된 산화니켈 나노입자를 무수 에탄올에 분산시켜 상기 제1전극에 2000 내지 4000 rpm으로 40 내지 80초 동안 스핀 코팅 후 80 내지 120 ℃에서 10 내지 20분 동안 어닐링하여 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 마그네슘이 도핑된 산화니켈 나노입자는 Ni1-xMgxO(여기서 x는 0.05 이상 0.2 이하임)인 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법. |
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