상대전극; 정공수송층; 광흡수층; 전자수송층; 및 투명전극을 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 있어서,상기 전자수송층은 아래 화학식으로 표시되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1] 상기 식에서,0 ≤ x ≤ 1이고, 0 ＜ y ＜ 1이고, x와 y의 조합(x, y)이 (0, 0) 또는 (1, 0)인 경우를 제외한다.

제1항에 있어서,상기 Si, In, 및 Sn을 포함한 전체 구성 중 Sn의 함량은 3.2 내지 7.6 at%인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.

제1항에 있어서,상기 Si, In, 및 Sn을 포함한 전체 구성 중 Si의 함량은 0.01 내지 53.8 at%인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.

제3항에 있어서,상기 Si의 함량은 15.8 내지 38.0 at%인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.

제4항에 있어서,상기 전자수송층의 전하 이동도 (carrier mobility, μe)는 2.4 x 10-1 cm2V-1s-1 내지 7.9 x 102 cm2V-1 s-1인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.

제1항에 있어서,상기 투명전극은 플루오린 틴 옥사이드(FTO), 인듐 틴 옥사이드(ITO), 알루미늄 아연 옥사이드(AZO), 니오븀 티타늄 옥사이드(NTO), 아연 틴 옥사이드(ZTO), 그래핀, 및 탄소나노튜브 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.

제1항에 있어서,상기 식은, 0 003c# x 003c# 1이고, 0 003c# y 003c# 1인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.

투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 SnO2, In2O3 및 SiO2 중에서 선택된 하나 이상의 타겟을 스퍼터링하여 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 정공수송층을 형성하는 단계; 및 상기 정공수송층 상에 상대전극을 형성하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법으로서, 상기 전자수송층은 아래의 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법:[화학식 1] 상기 식에서,0 ≤ x ≤ 1이고, 0 ＜ y ＜ 1이고, x와 y의 조합(x, y)이 (0, 0) 또는 (1, 0)인 경우를 제외한다.

투명전극을 형성하는 단계;상기 투명전극 상에 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 상에 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 상에 SnO2, In2O3 및 SiO2 중에서 선택된 하나 이상의 타겟을 스퍼터링하여 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 상대전극을 형성하는 단계;를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법으로서, 상기 전자수송층은 아래의 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법:[화학식 1] 상기 식에서,0 ≤ x ≤ 1이고, 0 ＜ y ＜ 1이고, x와 y의 조합(x, y)이 (0, 0) 또는 (1, 0)인 경우를 제외한다.

제8항 또는 제9항에 있어서,상기 전자수송층은 Si, In, 및 Sn을 포함한 전체 구성 중 Si의 함량은 0.01 내지 53.8 at%인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.

제8항 또는 제9항에 있어서,상기 전자수송층은 Si, In, 및 Sn을 포함한 전체 구성 중 Si의 함량은 15.8 내지 38.0 at%인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.

제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 태양전지를 채용한 태양전지 소자.