터치스크린 패널용 전극 형성방법에 있어서,도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계; 및열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하되,상기 도전성 페이스트는,분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고,상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하이며, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제1항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는, 상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제1항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 열처리된 메쉬 패턴을 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제1항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 메쉬 패턴을 상기 기판의 윗면과 수직한 축을 따라 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제1항에 있어서,상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는,열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제1항에 있어서,상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

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제1항에 있어서,상기 금속합금은 비스무트(Bi)와 주석(Sn) 합금인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제1항에 있어서,상기 금속합금은 58wt%의 비스무트(Bi)와 42wt%의 주석(Sn)을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

제10항에 있어서,상기 금속합금은 도전성 페이스트 100 중량부에 대하여 0 중량부 초과 50 중량부 이하로 포함되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널용 전극 형성방법.

도전성 페이스트를 이용하여 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에 형성된 상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계; 및열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계를 포함하되,상기 도전성 페이스트는,분말 형태의 은(Ag)과 분말 형태의 금속합금을 포함하고,상기 금속합금은 녹는점이 50℃ 이상 250℃ 이하이며, 비스무트(Bi), 주석(Sn), 아연(Zn), 납(Pb), 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 카드뮴(Cd)으로 이루어진 군으로부터 하나 또는 그 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.

제12항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 열처리된 메쉬 패턴을 0초 초과 10초 이하의 시간 동안 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.

제12항에 있어서,열처리된 메쉬 패턴을 가압하는 단계는,상기 열처리된 메쉬 패턴을 0.1MPa 이상 20MPa 이하의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 메쉬 패턴을 열처리하는 단계는,열처리 온도가 50℃ 이상 250℃ 이하인 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.

제12항에 있어서,상기 도전성 페이스트는 은(Ag)과 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치스크린 패널의 제조방법.

제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조된 터치스크린 패널.

제17항에 따른 터치스크린 패널;상기 터치스크린 패널에 결합된 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치.

제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 터치스크린 패널의 제조방법에 따라 제조된 터치스크린 패널을 포함하는 디스플레이 패널.

제19항에 따른 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 장치.