SOS 구조의 터널링 FET 및 그 제조방법
Tunneling FET of SOS structure and its manufacturing method
특허 요약
본 발명은 SOS 구조의 터널링 FET를 구현함에 있어서 별도의 증착공정 없이 산화물층을 형성함과 함께 산화물층의 두께를 선택적으로 제어함으로써 매우 낮은 I OFF 특성과 함께 우수한 Subthreshold Swing 특성을 나타내는 SOS 구조의 터널링 FET 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 SOS 구조의 터널링 FET는 기판의 제 1 영역에 형성된 하부 반도체층; 하부 반도체층 상에 형성된 산화물층; 기판의 제 2 영역에 형성되며, 일부는 산화물층 상에 구비되는 상부 반도체층; 및 게이트전극, 소스전극, 드레인전극;을 포함하여 이루어지며, 산화물층은, O 2 플라즈마 처리에 의해 하부 반도체층의 상층부가 산화물층으로 변환된 것인 것을 특징으로 한다.
청구항
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| 5 | 기판의 제 1 영역 상에 하부 반도체층을 적층하는 단계; O2 플라즈마를 인가하여 하부 반도체층의 상층부를 산화물층을 변환시키는 단계; 기판의 제 2 영역 상에 상부 반도체층을 적층하는 단계; 및 하부 반도체층과 상부 반도체층의 일측에 각각 드레인전극, 소스전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며, 기판의 후면에 게이트전극이 구비되며, 상부 반도체층의 일부는 산화물층 상에 적층되며, 전이금속디칼코게나이드(TMD)는 MoS2, WS2, WSe2 중 어느 하나이며, O2 플라즈마 처리에 의해 하부 반도체층의 상층부를 구성하는 전이금속디칼코게나이드(TMD)의 칼코겐 원소가 산소(O)로 치환되어 MoO3 또는 WO3로 변환되는 것을 특징으로 하는 SOS 구조의 터널링 FET의 제조방법. |
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