| 번호 | 청구항 |
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| 1 | 150nm의 두께를 갖는 FTO층;50nm의 두께를 갖는 TiO2층;160~200nm의 두께범위를 갖는 MASnI3 페로브스카이트층;200nm의 두께를 갖는 spiro-OMeTAD층; 및 100nm의 두께를 갖는 Au층;을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지. |
| 2 | 제 1 항에 있어서상기 MASnI3 페로브스카이트층의 두께범위는 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지. |
| 3 | 제 2 항에 있어서상기 MASnI3 페로브스카이트층의 두께는 200nm인 것을 특징으로 하는 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션에 의해 산출된 고효율 태양전지. |
| 4 | 제 2 항에 있어서상기 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션은,상기 MASnI3 페로브스카이트층의 각주파수, 전기장 강도 및 유전율에 기초하여 단위 부피당 전력 흡수 값(Pabs)을 [식 1]을 이용하여 산출하는 것을 특징으로 하는 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션에 의해 산출된 고효율 태양전지.[식 1] 단, ω는 각주파수, |E|2는 전기장 강도, imag(ε)는 유전율. |
| 5 | 제 4 항에 있어서,상기 유한차분시간영역(FDTD)을 이용한 시뮬레이션 방법은,전기장 강도와 유전율의 허수부 사이의 관계로부터 단위 부피당 전력 흡수값(Pabs)을 유도하고, 상기 단위 부피당 전력 흡수 값(Pabs)을 기반으로 [식 2]를 이용하여 상기 MASnI3 페로브스카이트층에 흡수된 광자 수를 도출하는 것을 특징으로 하는 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션에 의해 산출된 고효율 태양전지.[식 2] 단, g는 생성 속도, 시뮬레이션 스펙트럼에 대한 적분, 는 플랑크 상수. |
| 6 | 제 5 항에 있어서,상기 유한차분시간영역(FDTD)을 이용한 시뮬레이션 방법은,상기 MASnI3 페로브스카이트층에 흡수된 모든 광자가 전자-정공 쌍을 생성하는 것으로 가정함으로써, [식 3]을 이용하여 광전류 값 I를 산출하는 것을 특징으로 하는 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션에 의해 산출된 고효율 태양전지.[식 3] 단, e는 전자의 전하, g는 생성 속도. |
| 7 | 제 6 항에 있어서,상기 유한차분시간영역(FDTD)을 이용한 시뮬레이션 방법은,[식 4]를 이용하여 상기 MASnI3 페로브스카이트층의 단락 전류 밀도(Jsc)를 계산하는 것을 특징으로 하는 유한차분시간영역(FDTD) 시뮬레이션에 의해 산출된 고효율 태양전지.[식 4] 단, e는 전자의 전하, QE(λ)는 광전지의 양자 효율, IAM1.5G는 표준 AM 1.5G 스펙트럼. |