플루오로바이페닐 기반 티올의 자기조립단층에 의한 금속 표면 개질을 통한 구리 전극 유기 평면 다이오드
Organic planar diode with Cu electrode via modification of the metal surface by SAM of fluorobiphenyl based thiol
특허 요약
구리(Cu) 전극의 표면은 예비 산화 처리와 FBPS(fluorobiphenylthiol) 또는 BPS(biphenylthiol)를 기반으로 하는 이기능성 자기조립 단분자막 그래프트의 조합에 의해 개질(modification)된다. 이러한 조건에서 DNTT (dinaphtho [2, 3-b: 2', 3'-f] thieno [3,2-b] thiophene) 기반 다이오드는, Cu 2 O에서 부분적으로 환원된 구리 산화물에 FBPS의 조직화된 결합 형성으로 인한 높은 이동도(0.35 cm 2 .V -1 .s -1 )를 나타낸다. 이 조직은 반도체 필름의 조직을 제어한다. 반면, BPS 분자로 구리 전극의 동일한 처리는 BPS SAM과 DNTT 필름 모두의 해체로 인해 기능하지 않는다. 이러한 결과는 쌍극자 배향 분자의 단층이 주입 장벽을 낮추고, 반도체 조직을 결정하며 이에 따라 파생된 전자 부품의 성능을 향상시킬 수 있음을 시사한다.
청구항
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 | 구리 전극; 및상기 구리 전극의 상면에 증착되는 반도체 층;을 포함하며,상기 구리 전극의 상면에는 4'-플루오로-1,1'-비페닐-4-티올(4'-fluoro-1,1'-biphenyl-4-thiol, FBPS)이 그래프팅(grafting)되어 자기조립단층(SAM);이 형성되고,상기 구리 전극에 그래프팅된 상기 FBPS 상에 상기 반도체 층을 추가로 증착시키는 것을 특징으로 하고,상기 구리 전극은,예비 산화 처리(RCA)되는 것을 특징으로 하며,상기 예비 산화 처리(RCA)는,소정 비율의 NH3/H2O2/H2O 용액을 통해 산화 처리되는 것을 특징으로 하고,상기 NH3/H2O2/H2O 용액은,1:1:16000 부피 비율의 혼합 용액인 것을 특징으로 하며,상기 반도체 층은,Dinaphtho[2,3-b: 2',3' -f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) 재질인 것을 특징으로 하는 유기 평면 다이오드. |
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